BSG0810NDIATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A TISON8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A, 39A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 77.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSG0810NDIATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSG0810NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 0.0007 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 700µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TISON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 700µohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції BSG0810NDIATMA1 за ціною від 79.99 грн до 213.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSG0810NDIATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSG0810NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 0.0007 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 700µohm Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TISON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 700µohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSG0810NDIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A TISON8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A, 39A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TISON-8 |
на замовлення 7465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSG0810NDIATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSG0810NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 0.0007 ohm rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 700µohm Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TISON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 700µohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSG0810NDIATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
на замовлення 9958 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|