Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSG0811NDATMA1
BSG0811NDATMA1

BSG0811NDATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSG0811ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c2d01f1490263
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A TISON8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A, 41A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+73.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSG0811NDATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSG0811NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 2400 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2400µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TISON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2400µohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSG0811NDATMA1 за ціною від 81.20 грн до 245.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSG0811NDATMA1 BSG0811NDATMA1 Infineon Technologies 4267789878377289infineon-bsg0811nd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624bcaebcf014c2d01.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+113.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0811NDATMA1 BSG0811NDATMA1 Infineon Technologies 4267789878377289infineon-bsg0811nd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624bcaebcf014c2d01.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 302703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+114.45 грн
500+109.58 грн
1000+103.49 грн
Мінімальне замовлення: 307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0811NDATMA1 BSG0811NDATMA1 Infineon Technologies 4267789878377289infineon-bsg0811nd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624bcaebcf014c2d01.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+115.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0811NDATMA1 BSG0811NDATMA1 Infineon Technologies 4267789878377289infineon-bsg0811nd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624bcaebcf014c2d01.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 1729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+118.25 грн
120+117.08 грн
122+115.67 грн
500+111.43 грн
1000+102.86 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0811NDATMA1 BSG0811NDATMA1 Infineon Technologies 4267789878377289infineon-bsg0811nd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624bcaebcf014c2d01.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+172.90 грн
10+110.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0811NDATMA1 BSG0811NDATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSG0811ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c2d01f1490263 Description: MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A TISON8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A, 41A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 54266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.54 грн
10+154.32 грн
100+107.41 грн
500+82.01 грн
1000+81.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0811NDATMA1 BSG0811NDATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSG0811ND_DS_v02_02_EN-1226290.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 5567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0811NDATMA1 BSG0811NDATMA1 INFINEON Infineon-BSG0811ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c2d01f1490263 Description: INFINEON - BSG0811NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 2400 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2400µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0811NDATMA1 BSG0811NDATMA1 Infineon Technologies 4267789878377289infineon-bsg0811nd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624bcaebcf014c2d01.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0811NDATMA1 BSG0811NDATMA1 INFINEON Infineon-BSG0811ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c2d01f1490263 Description: INFINEON - BSG0811NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 2400 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2400µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0811NDATMA1 4267789878377289infineon-bsg0811nd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624bcaebcf014c2d01.pdf
BSG0811NDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+113.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0811NDATMA1 4267789878377289infineon-bsg0811nd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624bcaebcf014c2d01.pdf
BSG0811NDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 302703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
307+114.45 грн
500+109.58 грн
1000+103.49 грн
Мінімальне замовлення: 307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0811NDATMA1 4267789878377289infineon-bsg0811nd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624bcaebcf014c2d01.pdf
BSG0811NDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+115.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0811NDATMA1 4267789878377289infineon-bsg0811nd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624bcaebcf014c2d01.pdf
BSG0811NDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 1729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
119+118.25 грн
120+117.08 грн
122+115.67 грн
500+111.43 грн
1000+102.86 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0811NDATMA1 4267789878377289infineon-bsg0811nd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624bcaebcf014c2d01.pdf
BSG0811NDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+172.90 грн
10+110.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0811NDATMA1 Infineon-BSG0811ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c2d01f1490263
BSG0811NDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A TISON8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A, 41A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 54266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+245.54 грн
10+154.32 грн
100+107.41 грн
500+82.01 грн
1000+81.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0811NDATMA1 Infineon_BSG0811ND_DS_v02_02_EN-1226290.pdf
BSG0811NDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 5567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0811NDATMA1 Infineon-BSG0811ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c2d01f1490263
BSG0811NDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSG0811NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 2400 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2400µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0811NDATMA1 4267789878377289infineon-bsg0811nd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624bcaebcf014c2d01.pdf
BSG0811NDATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0811NDATMA1 Infineon-BSG0811ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c2d01f1490263
BSG0811NDATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSG0811NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 2400 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2400µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.