BSG0811NDATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A TISON8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A, 41A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 57.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSG0811NDATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSG0811NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 2400 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2400µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TISON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2400µohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSG0811NDATMA1 за ціною від 63.97 грн до 211.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSG0811NDATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSG0811NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 2400 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2400µohm Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TISON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2400µohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSG0811NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSG0811NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R |
на замовлення 302703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSG0811NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R |
на замовлення 1729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSG0811NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSG0811NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSG0811NDATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSG0811NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 2400 µohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2400µohm Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TISON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2400µohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
BSG0811NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
на замовлення 5567 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSG0811NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A TISON8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A, 41A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TISON-8 Part Status: Active |
на замовлення 60129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BSG0811NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
BSG0811NDATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R |
товару немає в наявності |