Продукція > INFINEON > BSG0812NDATMA1
BSG0812NDATMA1

BSG0812NDATMA1 INFINEON

4129521.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSG0812NDATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 25 V, 50 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+94.93 грн
500+72.22 грн
1000+56.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSG0812NDATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - BSG0812NDATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 25 V, 50 A, 0.0035 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TISON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції BSG0812NDATMA1 за ціною від 56.53 грн до 110.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSG0812NDATMA1 BSG0812NDATMA1 Виробник : INFINEON 4129521.pdf Description: INFINEON - BSG0812NDATMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 25 V, 50 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+110.76 грн
10+99.93 грн
100+94.93 грн
500+72.22 грн
1000+56.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0812NDATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsg0812nd-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0812NDATMA1 Виробник : Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 8TISON
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSG0812NDATMA1 BSG0812NDATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSG0812ND_DataSheet_v02_02_EN-3421690.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.