Продукція > NEXPERIA > BSH103,215
BSH103,215

BSH103,215 Nexperia

2901bsh103.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 46660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2609+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 2609
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSH103,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - BSH103,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.4 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 850mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSH103,215 за ціною від 5.10 грн до 44.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSH103,215 BSH103,215 Виробник : Nexperia 2901bsh103.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 46660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1718+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 1718
В кошику  од. на суму  грн.
BSH103,215 BSH103,215 Виробник : NEXPERIA 181048364766320bsh103.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
63+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
BSH103,215 BSH103,215 Виробник : NEXPERIA 181048364766320bsh103.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSH103,215 BSH103,215 Виробник : NEXPERIA 2901965.pdf Description: NEXPERIA - BSH103,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.4 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.97 грн
9000+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSH103,215 BSH103,215 Виробник : Nexperia 2901bsh103.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.14 грн
6000+7.32 грн
9000+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSH103,215 BSH103,215 Виробник : Nexperia 2901bsh103.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1277+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 1277
В кошику  од. на суму  грн.
BSH103,215 BSH103,215 Виробник : Nexperia 2901bsh103.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSH103,215 BSH103,215 Виробник : Nexperia 2901bsh103.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1200+10.34 грн
1365+9.09 грн
Мінімальне замовлення: 1200
В кошику  од. на суму  грн.
BSH103,215 BSH103,215 Виробник : Nexperia 2901bsh103.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
531+10.41 грн
1000+9.26 грн
3000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 531
В кошику  од. на суму  грн.
BSH103,215 BSH103,215 Виробник : Nexperia 2901bsh103.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
99+11.08 грн
1000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 99
В кошику  од. на суму  грн.
BSH103,215 BSH103,215 Виробник : NEXPERIA 2901965.pdf Description: NEXPERIA - BSH103,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.4 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 78722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.54 грн
500+10.76 грн
1500+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSH103,215 BSH103,215 Виробник : NEXPERIA BSH103.pdf Description: NEXPERIA - BSH103,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.4 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 74535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+22.24 грн
50+17.78 грн
100+12.88 грн
500+10.37 грн
1500+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BSH103,215 BSH103,215 Виробник : Nexperia BSH103.pdf MOSFETs BSH103/SOT23/TO-236AB
на замовлення 9148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+44.56 грн
14+26.76 грн
50+16.76 грн
100+14.77 грн
3000+8.27 грн
6000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BSH103,215 Виробник : NXP Semiconductors BSH103.pdf МОП-транзистор N-CH 30V 0.85A, SOT-23
на замовлення 3865 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSH103,215 BSH103,215 Виробник : NEXPERIA 181048364766320bsh103.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSH103,215 BSH103,215 Виробник : Nexperia 2901bsh103.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSH103,215 BSH103,215 Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7949E9C4EE8C26747&compId=BSH103.pdf?ci_sign=1bb1a30bcc46aa493806ef5293af6f51fe2d12bc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.85A; 500mW; SOT23,TO236AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.1nC
On-state resistance: 0.6Ω
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 0.85A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 30V
Case: SOT23; TO236AB
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSH103,215 BSH103,215 Виробник : Nexperia USA Inc. BSH103.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 850MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 1mA (Min)
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 24 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSH103,215 BSH103,215 Виробник : Nexperia USA Inc. BSH103.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 850MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 1mA (Min)
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 24 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSH103,215 Виробник : NXP USA Inc. BSH103.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 0.85A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSH103,215 BSH103,215 Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7949E9C4EE8C26747&compId=BSH103.pdf?ci_sign=1bb1a30bcc46aa493806ef5293af6f51fe2d12bc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.85A; 500mW; SOT23,TO236AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.1nC
On-state resistance: 0.6Ω
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 0.85A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 30V
Case: SOT23; TO236AB
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.