Продукція > NEXPERIA > BSH103,215

BSH103,215 Nexperia

Name: BSH103,215
Brand: Nexperia
SKU: 6034274-5
Price: 12940.64 UAH
Availability: InStock

Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 46660 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2609+	4.96 грн

Мінімальне замовлення: 2609

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BSH103,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - BSH103,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.4 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 850mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSH103,215 за ціною від 5.31 грн до 21.12 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

BSH103,215

Виробник : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 46660 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1718+	5.31 грн

Мінімальне замовлення: 1718

В кошику од. на суму грн.

BSH103,215

Виробник : NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BSH103,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.4 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 123000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	7.57 грн
9000+	6.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

BSH103,215

Виробник : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 78000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	8.48 грн
6000+	7.63 грн
9000+	7.52 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

BSH103,215

Виробник : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3105 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1277+	10.13 грн

Мінімальне замовлення: 1277

В кошику од. на суму грн.

BSH103,215

Виробник : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 78000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	10.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

BSH103,215

Виробник : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1386 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1200+	10.78 грн
1365+	9.48 грн

Мінімальне замовлення: 1200

В кошику од. на суму грн.

BSH103,215

Виробник : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 3105 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
531+	10.86 грн
1000+	9.66 грн
3000+	6.21 грн

Мінімальне замовлення: 531

В кошику од. на суму грн.

BSH103,215

Виробник : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 1448 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
99+	11.55 грн
1000+	10.15 грн

Мінімальне замовлення: 99

В кошику од. на суму грн.

BSH103,215

Виробник : NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BSH103,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.4 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 850mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 78722 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	11.90 грн
500+	10.22 грн
1500+	8.46 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

BSH103,215

Виробник : NXP

МОП-транзистор N-CH 30V 0.85A, SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт

на замовлення 529 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

Кількість	Ціна
21+	15.44 грн

Мінімальне замовлення: 21

В кошику од. на суму грн.

BSH103,215

Виробник : NEXPERIA

на замовлення 74535 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
39+	21.12 грн
50+	16.88 грн
100+	12.23 грн
500+	9.84 грн
1500+	7.76 грн

Мінімальне замовлення: 39

В кошику од. на суму грн.

BSH103,215

Виробник : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSH103,215

Виробник : Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 850MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 1mA (Min)
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 24 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSH103,215

Виробник : Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 850MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 1mA (Min)
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 24 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSH103,215

Виробник : Nexperia

MOSFETs BSH103/SOT23/TO-236AB

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

BSH103,215

Виробник : NEXPERIA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.85A; 500mW; SOT23,TO236AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23; TO236AB
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.1nC
On-state resistance: 0.6Ω
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 0.85A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.