на замовлення 46660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2609+ | 4.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSH103,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - BSH103,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.4 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 850mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSH103,215 за ціною від 5.19 грн до 23.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSH103,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 46660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSH103,215 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1589 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSH103,215 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSH103,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSH103,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH103,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.4 ohm, TO-236AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 850mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 123000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSH103,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSH103,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSH103,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSH103,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSH103,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSH103,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH103,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.4 ohm, TO-236AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 850mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 78722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSH103,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH103,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.4 ohm, TO-236AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 850mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 74535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| BSH103,215 | Виробник : NXP Semiconductors |
МОП-транзистор N-CH 30V 0.85A, SOT-23 |
на замовлення 3865 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||
|
|
BSH103,215 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
BSH103,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.85A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
BSH103,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 850MA TO236ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 1mA (Min) Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 24 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
BSH103,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 850MA TO236ABPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 1mA (Min) Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 24 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
BSH103,215 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs BSH103/SOT23/TO-236AB |
товару немає в наявності |




