
на замовлення 46660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1560+ | 4.83 грн |
3000+ | 4.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSH103,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - BSH103,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 850 mA, 0.4 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 850mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BSH103,215 за ціною від 4.05 грн до 28.63 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSH103,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 46660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSH103,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 1589 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSH103,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSH103,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 1mA (Min) Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 24 V |
на замовлення 45484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSH103,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSH103,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSH103,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 850mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSH103,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSH103,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 850mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 84358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSH103,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 4255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSH103,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 4255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSH103,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSH103,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 1mA (Min) Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83 pF @ 24 V |
на замовлення 45484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSH103,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.85A; 500mW; SOT23,TO236AB Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.85A On-state resistance: 0.6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2.1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB |
на замовлення 68613 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BSH103.215 Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0,85A; 500mW; SOT23 Код товару: 172102
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
![]() |
BSH103,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 850mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 84348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSH103,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.85A; 500mW; SOT23,TO236AB Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.85A On-state resistance: 0.6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2.1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 68613 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSH103,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 134762 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSH103,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 99 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
BSH103,215 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 4065 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
BSH103,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
BSH103,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |