BSH108,215
Код товару: 143966
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BSH108,215 за ціною від 6.80 грн до 38.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSH108,215 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSH108,215 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSH108,215 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSH108,215 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSH108,215 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSH108,215 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236ABInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: TO-236AB Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 830mW (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSH108,215 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSH108,215 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSH108,215 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSH108,215 | Nexperia |
MOSFETs BSH108/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 18123 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BSH108,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH108,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.12 ohm, SOT-23, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BSH108,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH108,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.12 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 40943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSH108,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.71 грн |
| 9000+ | 6.80 грн |
| BSH108,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.30 грн |
| BSH108,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.30 грн |
| 9000+ | 8.73 грн |
| 24000+ | 8.64 грн |
| BSH108,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.49 грн |
| 9000+ | 7.41 грн |
| BSH108,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 516+ | 27.38 грн |
| 958+ | 14.74 грн |
| 968+ | 14.58 грн |
| 987+ | 13.80 грн |
| 1354+ | 9.31 грн |
| 3000+ | 7.40 грн |
| 6000+ | 6.80 грн |
| BSH108,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 31.70 грн |
| 17+ | 18.17 грн |
| 100+ | 9.77 грн |
| 500+ | 8.81 грн |
| 1000+ | 8.44 грн |
| BSH108,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 33.87 грн |
| 29+ | 26.16 грн |
| 100+ | 13.60 грн |
| 1000+ | 9.42 грн |
| 3000+ | 7.25 грн |
| BSH108,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 36.33 грн |
| 28+ | 27.38 грн |
| 100+ | 14.22 грн |
| 250+ | 13.02 грн |
| 500+ | 12.27 грн |
| 1000+ | 8.93 грн |
| 3000+ | 7.40 грн |
| 6000+ | 6.80 грн |
| BSH108,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 38.36 грн |
| 26+ | 29.64 грн |
| 100+ | 15.41 грн |
| BSH108,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs BSH108/SOT23/TO-236AB
MOSFETs BSH108/SOT23/TO-236AB
на замовлення 18123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSH108,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSH108,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BSH108,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSH108,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSH108,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - BSH108,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 40943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





