BSH108,215
Код товару: 143966
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BSH108,215 за ціною від 5.11 грн до 32.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSH108,215 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: TO-236AB Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 830mW (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSH108,215 | Nexperia |
MOSFETs BSH108/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 18123 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| BSH108,215 |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 31.84 грн |
| 17+ | 18.25 грн |
| 100+ | 9.81 грн |
| 500+ | 8.85 грн |
| 1000+ | 8.48 грн |
| BSH108,215 |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs BSH108/SOT23/TO-236AB
MOSFETs BSH108/SOT23/TO-236AB
на замовлення 18123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 32.94 грн |
| 16+ | 21.04 грн |
| 100+ | 8.91 грн |
| 1000+ | 7.66 грн |
| 3000+ | 5.25 грн |
| 9000+ | 5.11 грн |