на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 5.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSH108,215 NEXPERIA
Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 830mW (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 10 V.
Інші пропозиції BSH108,215 за ціною від 5.16 грн до 33.17 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSH108,215 | Виробник : NEXPERIA | Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSH108,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSH108,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 10 V |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSH108,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSH108,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSH108,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSH108,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 830mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Power dissipation: 0.83W Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 10nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.2A On-state resistance: 0.24Ω Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 4240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSH108,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH108,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.077 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: -888 MSL: -999 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: -999 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm |
на замовлення 120730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSH108,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 830mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Power dissipation: 0.83W Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 10nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.2A On-state resistance: 0.24Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 4240 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSH108,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSH108,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSH108,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 10 V |
на замовлення 99756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSH108,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSH108,215 | Виробник : Nexperia | MOSFET BSH108/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 20087 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSH108,215 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSH108,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH108,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.077 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: -888 MSL: -999 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: -999 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm |
на замовлення 120730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSH108,215 Код товару: 143966 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товар відсутній
|