на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSH108,215 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSH108,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції BSH108,215 за ціною від 5.94 грн до 44.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSH108,215 | Виробник : NEXPERIA |
 Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSH108,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH108,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSH108,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSH108,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSH108,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSH108,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSH108,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSH108,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSH108,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSH108,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 10 V |
на замовлення 1865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSH108,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSH108,215 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs BSH108/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 18123 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSH108,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH108,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 40943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
BSH108,215 Код товару: 143966
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||
|
|
BSH108,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |