
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 5.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSH108,215 NEXPERIA
Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 830mW (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 10 V.
Інші пропозиції BSH108,215 за ціною від 5.44 грн до 41.38 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSH108,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 1882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSH108,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 10 V |
на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSH108,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSH108,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSH108,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSH108,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSH108,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 8189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSH108,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSH108,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 8189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSH108,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSH108,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 830mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 10nC |
на замовлення 3771 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
BSH108,215 Код товару: 143966
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
BSH108,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 18123 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSH108,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 830mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.2A Power dissipation: 0.83W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 10nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3771 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
BSH108,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 10 V |
на замовлення 82307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
BSH108,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 66845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|