Продукція > NEXPERIA > BSH108,215
BSH108,215

BSH108,215 NEXPERIA

170073982740521bsh108.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSH108,215 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BSH108,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSH108,215 за ціною від 5.58 грн до 40.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSH108,215 BSH108,215 Виробник : NEXPERIA 170073982740521bsh108.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
BSH108,215 BSH108,215 Виробник : NEXPERIA 454161.pdf Description: NEXPERIA - BSH108,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.83 грн
9000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSH108,215 BSH108,215 Виробник : Nexperia 170073982740521bsh108.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.55 грн
9000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSH108,215 BSH108,215 Виробник : Nexperia 170073982740521bsh108.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSH108,215 BSH108,215 Виробник : Nexperia 170073982740521bsh108.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.63 грн
9000+8.11 грн
24000+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSH108,215 BSH108,215 Виробник : Nexperia 170073982740521bsh108.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.81 грн
9000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSH108,215 BSH108,215 Виробник : Nexperia 170073982740521bsh108.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
516+23.73 грн
958+12.78 грн
968+12.64 грн
987+11.96 грн
1354+8.07 грн
3000+6.42 грн
6000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 516
В кошику  од. на суму  грн.
BSH108,215 BSH108,215 Виробник : Nexperia 170073982740521bsh108.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+31.45 грн
29+24.29 грн
100+12.63 грн
1000+8.74 грн
3000+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BSH108,215 BSH108,215 Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7949EB4F167D06747&compId=BSH108.pdf?ci_sign=86da5861fbb2720b33d4f39735c6a997cd45995e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 830mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
на замовлення 3048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+32.17 грн
17+23.74 грн
20+20.28 грн
50+13.28 грн
82+11.40 грн
100+11.16 грн
224+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BSH108,215
Код товару: 143966
Додати до обраних Обраний товар

BSH108.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSH108,215 BSH108,215 Виробник : Nexperia USA Inc. BSH108.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 10 V
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.47 грн
17+19.18 грн
100+10.31 грн
500+9.30 грн
1000+8.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSH108,215 BSH108,215 Виробник : Nexperia 170073982740521bsh108.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+33.74 грн
28+25.42 грн
100+13.20 грн
250+12.09 грн
500+11.39 грн
1000+8.30 грн
3000+6.87 грн
6000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSH108,215 BSH108,215 Виробник : Nexperia 170073982740521bsh108.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+35.62 грн
26+27.52 грн
100+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSH108,215 BSH108,215 Виробник : Nexperia BSH108.pdf MOSFETs BSH108/SOT23/TO-236AB
на замовлення 18123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.01 грн
16+23.00 грн
100+9.73 грн
1000+8.38 грн
3000+5.73 грн
9000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSH108,215 BSH108,215 Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7949EB4F167D06747&compId=BSH108.pdf?ci_sign=86da5861fbb2720b33d4f39735c6a997cd45995e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 830mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3048 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.60 грн
10+29.58 грн
12+24.34 грн
50+15.94 грн
82+13.68 грн
100+13.39 грн
224+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSH108,215 BSH108,215 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0002883694-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSH108,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 62744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+40.46 грн
50+23.87 грн
100+12.78 грн
500+11.48 грн
1500+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSH108,215 BSH108,215 Виробник : Nexperia USA Inc. BSH108.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.