на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSH111BKR NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSH111BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 302mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSH111BKR за ціною від 2.05 грн до 20.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSH111BKR | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSH111BKR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSH111BKR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSH111BKR | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH111BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 302mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 8441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSH111BKR | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH111BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 302mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 8441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSH111BKR | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT23 N-CH 55V .21A |
на замовлення 16809 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSH111BKR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| BSH111BKR | Виробник : NEXPERIA |
BSH111BKR SMD N channel transistors |
на замовлення 1361 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
BSH111BKR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
BSH111BKR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
BSH111BKR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 302mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
BSH111BKR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 302mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |