Продукція > NEXPERIA > BSH111BKR
BSH111BKR

BSH111BKR NEXPERIA

4375738560421212bsh111bk.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSH111BKR NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BSH111BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 302mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції BSH111BKR за ціною від 2.01 грн до 13.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSH111BKR BSH111BKR Виробник : Nexperia 4375738560421212bsh111bk.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4226+2.87 грн
6000+2.29 грн
9000+2.27 грн
15000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 4226
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR BSH111BKR Виробник : Nexperia 4375738560421212bsh111bk.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.07 грн
6000+2.45 грн
9000+2.42 грн
15000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR BSH111BKR Виробник : Nexperia 4375738560421212bsh111bk.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3522+3.45 грн
18000+3.15 грн
27000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 3522
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR BSH111BKR Виробник : NEXPERIA BSH111BK.pdf Description: NEXPERIA - BSH111BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 302mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.37 грн
1500+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR BSH111BKR Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7949EC1FFA5EA0747&compId=BSH111BK.pdf?ci_sign=59692e914ed3d934f9124c12c2f9b06ecea2cabc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.13A; 364mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 364mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 8.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.5nC
на замовлення 3181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.20 грн
46+8.76 грн
61+6.47 грн
100+5.37 грн
348+2.67 грн
956+2.52 грн
3000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR BSH111BKR Виробник : Nexperia USA Inc. BSH111BK.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 302mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.48 грн
33+9.63 грн
100+4.16 грн
500+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR BSH111BKR Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7949EC1FFA5EA0747&compId=BSH111BK.pdf?ci_sign=59692e914ed3d934f9124c12c2f9b06ecea2cabc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.13A; 364mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 364mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 8.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.5nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3181 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.24 грн
28+10.92 грн
50+7.77 грн
100+6.44 грн
348+3.20 грн
956+3.02 грн
3000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR BSH111BKR Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003101061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSH111BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 302mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
65+13.26 грн
75+11.39 грн
168+5.07 грн
500+4.25 грн
1500+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR BSH111BKR Виробник : Nexperia BSH111BK.pdf MOSFETs 55 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 20863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+13.53 грн
32+10.90 грн
100+4.02 грн
500+3.79 грн
1000+3.49 грн
3000+2.35 грн
6000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR BSH111BKR Виробник : Nexperia 4375738560421212bsh111bk.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR BSH111BKR Виробник : Nexperia 4375738560421212bsh111bk.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR BSH111BKR Виробник : Nexperia 4375738560421212bsh111bk.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR BSH111BKR Виробник : Nexperia USA Inc. BSH111BK.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 302mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.