BSH111BKR

BSH111BKR NEXPERIA


4375738560421212bsh111bk.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSH111BKR NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BSH111BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 mA, 2.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 302mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BSH111BKR за ціною від 2.13 грн до 26.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSH111BKR BSH111BKR Виробник : Nexperia 4375738560421212bsh111bk.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.68 грн
6000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR BSH111BKR Виробник : Nexperia 4375738560421212bsh111bk.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4144+2.94 грн
6000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 4144
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR BSH111BKR Виробник : Nexperia USA Inc. BSH111BK.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 302mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.22 грн
6000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR BSH111BKR Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003101061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSH111BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 mA, 2.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 302mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.03 грн
1500+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR BSH111BKR Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003101061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSH111BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 mA, 2.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 302mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
58+14.44 грн
75+11.06 грн
181+4.58 грн
500+4.03 грн
1500+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR BSH111BKR Виробник : Nexperia BSH111BK.pdf MOSFETs BSH111BK/SOT23/TO-236AB
на замовлення 21334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+14.68 грн
34+10.24 грн
100+3.83 грн
1000+3.46 грн
3000+3.09 грн
9000+2.57 грн
24000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR BSH111BKR Виробник : Nexperia USA Inc. BSH111BK.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 302mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
на замовлення 6092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.30 грн
25+12.26 грн
100+7.76 грн
500+4.25 грн
1000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR BSH111BKR Виробник : Nexperia 4375738560421212bsh111bk.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR Виробник : NEXPERIA BSH111BK.pdf BSH111BKR SMD N channel transistors
на замовлення 2811 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+20.06 грн
348+3.10 грн
956+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR Виробник : Nexperia BSH111BK.pdf Транз пол. ММ SOT23 N-channel Vds=55 V, Id=335 mA, Ids=4 Ohm
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
10+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR BSH111BKR Виробник : Nexperia 4375738560421212bsh111bk.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR BSH111BKR Виробник : Nexperia 4375738560421212bsh111bk.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.