Продукція > NEXPERIA USA INC. > BSH111BKR
BSH111BKR

BSH111BKR Nexperia USA Inc.

BSH111BK.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 302mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.04 грн
6000+2.62 грн
9000+2.46 грн
15000+2.14 грн
21000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSH111BKR Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BSH111BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 302mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm.

Інші пропозиції BSH111BKR за ціною від 2.31 грн до 14.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSH111BKR BSH111BKR Nexperia 4375738560421212bsh111bk.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.32 грн
6000+2.64 грн
9000+2.61 грн
15000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR BSH111BKR Nexperia 4375738560421212bsh111bk.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4226+3.32 грн
6000+2.65 грн
9000+2.62 грн
15000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 4226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR BSH111BKR Nexperia 4375738560421212bsh111bk.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3522+3.99 грн
18000+3.64 грн
27000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 3522 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR BSH111BKR Nexperia USA Inc. BSH111BK.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 302mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
на замовлення 24800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.62 грн
34+8.82 грн
100+5.48 грн
500+3.76 грн
1000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR BSH111BKR Nexperia BSH111BK.pdf MOSFETs SOT23 N-CH 55V .21A
на замовлення 107899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR BSH111BKR Nexperia 4375738560421212bsh111bk.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR BSH111BKR NEXPERIA NEXP-S-A0003101061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSH111BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 302mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
на замовлення 8746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR 4375738560421212bsh111bk.pdf
BSH111BKR
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.32 грн
6000+2.64 грн
9000+2.61 грн
15000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR 4375738560421212bsh111bk.pdf
BSH111BKR
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4226+3.32 грн
6000+2.65 грн
9000+2.62 грн
15000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 4226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR 4375738560421212bsh111bk.pdf
BSH111BKR
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3522+3.99 грн
18000+3.64 грн
27000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 3522 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR BSH111BK.pdf
BSH111BKR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 302mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
на замовлення 24800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+14.62 грн
34+8.82 грн
100+5.48 грн
500+3.76 грн
1000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR BSH111BK.pdf
BSH111BKR
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT23 N-CH 55V .21A
на замовлення 107899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR 4375738560421212bsh111bk.pdf
BSH111BKR
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR NEXP-S-A0003101061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSH111BKR
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSH111BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 302mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
на замовлення 8746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.