| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.34 грн |
| 6000+ | 2.66 грн |
| 9000+ | 2.63 грн |
| 15000+ | 2.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSH111BKR Nexperia
Description: NEXPERIA - BSH111BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 302mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm.
Інші пропозиції BSH111BKR за ціною від 2.34 грн до 16.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSH111BKR | Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 55V 210MA TO236ABPackage / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 302mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount |
на замовлення 17610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BSH111BKR | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 138000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BSH111BKR | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BSH111BKR | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.13A; 364mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 0.13A Power dissipation: 364mW Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 8.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
BSH111BKR | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 302mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
на замовлення 17610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
BSH111BKR | Nexperia |
MOSFETs SOT23 N-CH 55V .21A |
на замовлення 107899 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
BSH111BKR | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
BSH111BKR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH111BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 302mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm |
на замовлення 7906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSH111BKR |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 302mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Description: MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 302mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 17610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.34 грн |
| 9000+ | 2.70 грн |
| BSH111BKR |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4226+ | 3.35 грн |
| 6000+ | 2.67 грн |
| 9000+ | 2.64 грн |
| 15000+ | 2.34 грн |
| BSH111BKR |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3522+ | 4.02 грн |
| 18000+ | 3.67 грн |
| 27000+ | 3.41 грн |
| BSH111BKR |
|
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.13A; 364mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 364mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 8.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.13A; 364mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 364mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 8.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 46+ | 10.05 грн |
| 52+ | 8.31 грн |
| 72+ | 5.94 грн |
| BSH111BKR |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 302mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Description: MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 302mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
на замовлення 17610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 16.65 грн |
| 32+ | 9.77 грн |
| 50+ | 6.95 грн |
| 100+ | 5.66 грн |
| 500+ | 4.14 грн |
| BSH111BKR |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT23 N-CH 55V .21A
MOSFETs SOT23 N-CH 55V .21A
на замовлення 107899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSH111BKR |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSH111BKR |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSH111BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 302mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
Description: NEXPERIA - BSH111BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 302mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
на замовлення 7906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)