Продукція > NEXPERIA > BSH111BKR
BSH111BKR

BSH111BKR NEXPERIA

4375738560421212bsh111bk.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSH111BKR NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BSH111BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 mA, 2.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 302mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BSH111BKR за ціною від 1.83 грн до 26.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSH111BKR BSH111BKR Виробник : Nexperia 4375738560421212bsh111bk.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.67 грн
6000+2.12 грн
9000+2.10 грн
15000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR BSH111BKR Виробник : Nexperia 4375738560421212bsh111bk.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4226+2.88 грн
6000+2.30 грн
9000+2.27 грн
15000+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 4226
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR BSH111BKR Виробник : Nexperia USA Inc. BSH111BK.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 302mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.21 грн
6000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR BSH111BKR Виробник : Nexperia 4375738560421212bsh111bk.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3522+3.46 грн
18000+3.16 грн
27000+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 3522
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR BSH111BKR Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003101061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSH111BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 mA, 2.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 302mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.02 грн
1500+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR BSH111BKR Виробник : NEXPERIA BSH111BK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.13A; 364mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 364mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 8.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+12.35 грн
42+9.25 грн
65+5.92 грн
100+4.72 грн
347+2.58 грн
954+2.44 грн
3000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR BSH111BKR Виробник : Nexperia BSH111BK.pdf MOSFETs P-channel vertical D-MOS logic level FET
на замовлення 32558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.87 грн
30+11.31 грн
100+4.11 грн
500+3.89 грн
1000+3.52 грн
3000+2.13 грн
9000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR BSH111BKR Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003101061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSH111BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 mA, 2.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 302mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
58+14.41 грн
75+11.03 грн
181+4.57 грн
500+4.02 грн
1500+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR BSH111BKR Виробник : NEXPERIA BSH111BK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.13A; 364mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 364mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 8.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4281 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+14.82 грн
25+11.53 грн
50+7.10 грн
100+5.66 грн
347+3.09 грн
954+2.93 грн
3000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR BSH111BKR Виробник : Nexperia USA Inc. BSH111BK.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 302mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
на замовлення 6092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.26 грн
25+12.23 грн
100+7.74 грн
500+4.24 грн
1000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR BSH111BKR Виробник : Nexperia 4375738560421212bsh111bk.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR Виробник : Nexperia BSH111BK.pdf Транз пол. ММ SOT23 N-channel Vds=55 V, Id=335 mA, Ids=4 Ohm
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
10+26.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR BSH111BKR Виробник : Nexperia 4375738560421212bsh111bk.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSH111BKR BSH111BKR Виробник : Nexperia 4375738560421212bsh111bk.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.