Продукція > NEXPERIA > BSH121,135

BSH121,135 Nexperia

Виробник: Nexperia
MOSFET TAPE13 PWR-MOS

на замовлення 9974 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис BSH121,135 Nexperia

Description: MOSFET N-CH 75V 300MA SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 700mW (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-323, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V.

Інші пропозиції BSH121,135

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
BSH121,135	Виробник : NEXPERIA	Description: NEXPERIA - BSH121,135 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 500 mA, 2.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 Dauer-Drainstrom Id: 500 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 700 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1 Verlustleistung: 700 Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
BSH121,135	Виробник : Nexperia USA Inc.	Description: MOSFET N-CH 75V 300MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
BSH121,135	Виробник : Nexperia USA Inc.	Description: MOSFET N-CH 75V 300MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.