Інші пропозиції BSH201,215 за ціною від 6.74 грн до 36.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSH201,215 | Виробник : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 417mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BSH201,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 417mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 28417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSH201,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 113891 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSH201,215 | Виробник : NXP |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-236AB BSH201,215 BSH201 TBSH201 кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 2270 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSH201,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 417mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 28417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
BSH201,215 | Виробник : NXP |
SOT-23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| BSH201,215 | Виробник : NXP/Nexperia/We-En |
P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 300 мA, Ptot, Вт = 0,417, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 70 @ 48, Qg, нКл = 3 @ 10 В, Rds = 2,5 Ом @ 160 мА, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1.9 В @ 1 мА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. в кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
BSH201,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 60V 300MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 160mA, 10V Power Dissipation (Max): 417mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA (Min) Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 48 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
BSH201,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 60V 300MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 160mA, 10V Power Dissipation (Max): 417mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA (Min) Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 48 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
BSH201,215 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs BSH201/SOT23/TO-236AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
BSH201,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.19A; 170mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.19A Power dissipation: 0.17W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.25Ω Mounting: SMD Gate charge: 3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
товару немає в наявності |