Інші пропозиції BSH201,215 за ціною від 5.24 грн до 50.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSH201,215 | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BSH201,215 | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BSH201,215 | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 189000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BSH201,215 | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BSH201,215 | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 156000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BSH201,215 | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 10535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BSH201,215 | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 10735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BSH201,215 | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 113891 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
BSH201,215 | NXP |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-236AB BSH201,215 BSH201 TBSH201кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 2270 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BSH201,215 | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
BSH201,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 417mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 28417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
BSH201,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 417mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 28417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
BSH201,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.5 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 417mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSH201,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12000+ | 7.76 грн |
| BSH201,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.21 грн |
| BSH201,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 189000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.23 грн |
| 6000+ | 5.80 грн |
| 9000+ | 5.49 грн |
| 24000+ | 5.24 грн |
| BSH201,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.23 грн |
| BSH201,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.07 грн |
| 6000+ | 10.52 грн |
| 9000+ | 9.53 грн |
| 24000+ | 8.77 грн |
| BSH201,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 789+ | 11.96 грн |
| 1000+ | 9.96 грн |
| 3000+ | 9.12 грн |
| 6000+ | 8.00 грн |
| BSH201,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1124+ | 12.50 грн |
| BSH201,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 113891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2109+ | 16.66 грн |
| 10000+ | 14.85 грн |
| 100000+ | 12.45 грн |
| BSH201,215 |
![]() |
Виробник: NXP
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-236AB BSH201,215 BSH201 TBSH201
кількість в упаковці: 3000 шт
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-236AB BSH201,215 BSH201 TBSH201
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 25.54 грн |
| BSH201,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 50.43 грн |
| 22+ | 35.09 грн |
| 100+ | 22.25 грн |
| BSH201,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSH201,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSH201,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





