
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 5.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSH201,215 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSH201,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 417mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції BSH201,215 за ціною від 5.59 грн до 32.43 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSH201,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 160mA, 10V Power Dissipation (Max): 417mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA (Min) Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 48 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSH201,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSH201,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSH201,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 165000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSH201,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 165000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSH201,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSH201,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSH201,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSH201,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 160mA, 10V Power Dissipation (Max): 417mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA (Min) Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 48 V |
на замовлення 6576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSH201,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 11432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSH201,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 68731 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSH201,215 Код товару: 116680
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||||||
![]() |
BSH201,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 11432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
BSH201,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 417mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 34203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
BSH201,215 | Виробник : NXP |
![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2520 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSH201,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 4767 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSH201,215 | Виробник : NXP/Nexperia/We-En |
![]() |
на замовлення 8 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
BSH201,215 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 19 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
![]() |
BSH201,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |