Продукція > NEXPERIA > BSH202,215
BSH202,215

BSH202,215 NEXPERIA

66241790205926bsh202.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.4 грн
9000+ 5.74 грн
18000+ 5.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSH202,215 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - BSH202,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 0.63 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 520mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 417mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 417mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.63ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції BSH202,215 за ціною від 5.02 грн до 32.5 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSH202,215 BSH202,215 Виробник : Nexperia 66241790205926bsh202.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.51 грн
6000+ 6.44 грн
9000+ 5.85 грн
15000+ 5.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSH202,215 BSH202,215 Виробник : Nexperia 66241790205926bsh202.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.62 грн
6000+ 6.55 грн
9000+ 5.95 грн
15000+ 5.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSH202,215 BSH202,215 Виробник : NEXPERIA BSH202.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.33A; 0.17W; SOT23,TO236AB
Drain current: -330mA
On-state resistance: 0.9Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.17W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.9nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Drain-source voltage: -30V
на замовлення 3405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+10.01 грн
100+ 8.36 грн
265+ 7.91 грн
3000+ 7.58 грн
Мінімальне замовлення: 35
BSH202,215 BSH202,215 Виробник : NEXPERIA BSH202.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.33A; 0.17W; SOT23,TO236AB
Drain current: -330mA
On-state resistance: 0.9Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.17W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.9nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Drain-source voltage: -30V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3405 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+14.74 грн
25+ 12.48 грн
100+ 10.04 грн
265+ 9.49 грн
3000+ 9.1 грн
Мінімальне замовлення: 20
BSH202,215 BSH202,215 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0002882646-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSH202,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 0.63 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 417mW
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 10590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+15.5 грн
500+ 11.27 грн
1000+ 7.45 грн
3000+ 6.8 грн
6000+ 6.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSH202,215 BSH202,215 Виробник : Nexperia 66241790205926bsh202.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
635+18.45 грн
1114+ 10.51 грн
1126+ 10.4 грн
1151+ 9.81 грн
1526+ 6.85 грн
3000+ 5.99 грн
6000+ 5.4 грн
Мінімальне замовлення: 635
BSH202,215 BSH202,215 Виробник : Nexperia 66241790205926bsh202.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+24.39 грн
32+ 18.33 грн
34+ 17.13 грн
100+ 9.41 грн
250+ 8.62 грн
500+ 8.1 грн
1000+ 6.1 грн
3000+ 5.56 грн
6000+ 5.02 грн
Мінімальне замовлення: 24
BSH202,215 BSH202,215 Виробник : Nexperia USA Inc. BSH202.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 520MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 280mA, 10V
Power Dissipation (Max): 417mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 24 V
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+24.55 грн
16+ 18.36 грн
100+ 11.03 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSH202,215 BSH202,215 Виробник : Nexperia BSH202-2937684.pdf MOSFET BSH202/SOT23/TO-236AB
на замовлення 4203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.49 грн
21+ 14.89 грн
100+ 9.35 грн
3000+ 7.94 грн
9000+ 6.01 грн
24000+ 5.94 грн
45000+ 5.61 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSH202,215 BSH202,215 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0002882646-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSH202,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 0.63 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 520mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 417mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.63ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 10590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+32.5 грн
30+ 25.61 грн
100+ 15.5 грн
500+ 11.27 грн
1000+ 7.45 грн
3000+ 6.8 грн
6000+ 6.41 грн
Мінімальне замовлення: 24
BSH202,215 Виробник : NXP PHGLS16559-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NXP - BSH202,215 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: To Be Advised
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4664+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 4664
BSH202,215 BSH202,215 Виробник : Nexperia 66241790205926bsh202.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BSH202,215 BSH202,215 Виробник : Nexperia USA Inc. BSH202.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 520MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 280mA, 10V
Power Dissipation (Max): 417mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 24 V
товар відсутній