Технічний опис BSH203,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - BSH203,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 470 mA, 0.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 470mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 680mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 417mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSH203,215 за ціною від 4.51 грн до 37.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSH203,215 | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET P-CH 30V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSH203,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSH203,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 13705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSH203,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSH203,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH203,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 470 mA, 0.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 470mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 680mV euEccn: NLR Verlustleistung: 417mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 122730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSH203,215 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs BSH203/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 32629 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSH203,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSH203,215 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| BSH203,215 | Виробник : NXP |
Код виробника: PHSBSH203T1 SOT23/VD-MOS P-CHANNEL Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
BSH203,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 470MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 280mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 417mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 680mV @ 1mA (Typ) Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 24 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
BSH203,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 470MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 280mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 417mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 680mV @ 1mA (Typ) Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 24 V |
товару немає в наявності |