Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSH203,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - BSH203,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 470 mA, 0.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 470mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 680mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 417mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції BSH203,215 за ціною від 6.07 грн до 37.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSH203,215 | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
BSH203,215 | NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.3A; 170mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -300mA Power dissipation: 0.17W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.65Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 11 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||
|
BSH203,215 | Nexperia |
MOSFETs BSH203/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 1815 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
BSH203,215 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH203,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 470 mA, 0.9 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 470mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 680mV euEccn: NLR Verlustleistung: 417mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 122730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| BSH203,215 | NXP |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.47A 3-Pin TO-236AB BSH203,215 BSH203 TBSH203кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 190 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| BSH203,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 30V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.78 грн |
| BSH203,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.3A; 170mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -300mA
Power dissipation: 0.17W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.65Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.3A; 170mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -300mA
Power dissipation: 0.17W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.65Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 37.39 грн |
| BSH203,215 |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs BSH203/SOT23/TO-236AB
MOSFETs BSH203/SOT23/TO-236AB
на замовлення 1815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSH203,215 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSH203,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 470 mA, 0.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 470mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 680mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - BSH203,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 470 mA, 0.9 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 470mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 680mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 122730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSH203,215 |
![]() |
Виробник: NXP
Trans MOSFET P-CH 30V 0.47A 3-Pin TO-236AB BSH203,215 BSH203 TBSH203
кількість в упаковці: 100 шт
Trans MOSFET P-CH 30V 0.47A 3-Pin TO-236AB BSH203,215 BSH203 TBSH203
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 6.07 грн |






