Інші пропозиції BSH205G2AR за ціною від 7.46 грн до 28.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSH205G2AR | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A TO236ABPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 2.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 10W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 421 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
BSH205G2AR | Nexperia |
MOSFETs BSH205G2A/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 48108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
BSH205G2AR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH205G2AR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.097 ohm, TO-236AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
BSH205G2AR | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH205G2AR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.097 ohm, TO-236AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSH205G2AR |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 421 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 421 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 28.55 грн |
| 19+ | 16.95 грн |
| 50+ | 12.23 грн |
| 100+ | 10.02 грн |
| 500+ | 7.46 грн |
| BSH205G2AR |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs BSH205G2A/SOT23/TO-236AB
MOSFETs BSH205G2A/SOT23/TO-236AB
на замовлення 48108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSH205G2AR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSH205G2AR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.097 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BSH205G2AR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.097 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSH205G2AR |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSH205G2AR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.097 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - BSH205G2AR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.097 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| 100 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-100R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 35904
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Hitano
SMD резистори > 2512
Номінал: 100 Ом
Точність: ±5%
Pном, Вт: 1 Вт
Uном, В: 200 V (макс. 500 V при перевантаженні)
Типорозмір: 2512
SMD резистори > 2512
Номінал: 100 Ом
Точність: ±5%
Pном, Вт: 1 Вт
Uном, В: 200 V (макс. 500 V при перевантаженні)
Типорозмір: 2512
у наявності: 2270 шт
- 2270 шт - склад
очікується: 4000 шт
- 4000 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.80 грн |
| 100+ | 1.50 грн |
| 1000+ | 1.20 грн |
| 220 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-220R-Hitano) Код товару: 32376
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Hitano
SMD резистори > 2512
Номінал: 220 Ом
Точність: ±5%
Pном, Вт: 1 Вт
Uном, В: 200 V (макс. 500 V при перевантаженні)
Типорозмір: 2512
SMD резистори > 2512
Номінал: 220 Ом
Точність: ±5%
Pном, Вт: 1 Вт
Uном, В: 200 V (макс. 500 V при перевантаженні)
Типорозмір: 2512
у наявності: 11 шт
- 11 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 8000 шт
- 8000 шт - очікується 06.10.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 1.82 грн |
| 20+ | 1.50 грн |
| 100+ | 1.30 грн |
| 1000+ | 1.00 грн |
| CP2102-GMR Код товару: 22679
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: SiLabs
Мікросхеми > Інтерфейсні
Корпус: QFN-28
Характеристики: Міст USB-UART
Живлення: 3,6 В
Темп. діапазон: -55…125°С
Тип монтажу: SMD
Інтерфейс: UART
Мікросхеми > Інтерфейсні
Корпус: QFN-28
Характеристики: Міст USB-UART
Живлення: 3,6 В
Темп. діапазон: -55…125°С
Тип монтажу: SMD
Інтерфейс: UART
у наявності: 107 шт
- 88 шт - склад
- 13 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 131.00 грн |
| 10+ | 121.00 грн |
| 1.5KE10CA Код товару: 21191
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-201
Пікова потужність, P, Вт: 1500 Вт
Напруга пробою, Vbr: 10 В
Конструкція діода: Двоспрямований
Корпус: DO-201
Пікова потужність, P, Вт: 1500 Вт
Напруга пробою, Vbr: 10 В
Конструкція діода: Двоспрямований
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 3,3 MOhm 5% 0,25W 200V 1206 (резистор SMD) Код товару: 11319
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Uni-Ohm
SMD резистори > 1206
Номінал: 3,3 МОм
Точність: ±5% J
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 3,3 МОм
Точність: ±5% J
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
у наявності: 37940 шт
- 25500 шт - склад
- 4165 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 800 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 3880 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 3595 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 5000 шт
- 5000 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.40 грн |
| 1000+ | 0.30 грн |
| 10000+ | 0.20 грн |









