Інші пропозиції BSH205G2AR за ціною від 4.52 грн до 32.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSH205G2AR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 20700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSH205G2AR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 20349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSH205G2AR | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH205G2AR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.097 ohm, TO-236AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSH205G2AR | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH205G2AR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.097 ohm, TO-236AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 610mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSH205G2AR | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT23 P-CH 20V 2.6A |
на замовлення 28083 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSH205G2AR | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
BSH205G2AR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A TO236ABPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 2.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 10W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 421 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
BSH205G2AR | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A TO236ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 2.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 10W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 421 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| 100 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-100R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 35904
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Hitano
SMD резистори > 2512
Номінал: 100 Ohm
Точність: ±5%
Pном,W: 1 W
Uном,V: 200 V (500 V max over load)
Типорозмір: 2512
SMD резистори > 2512
Номінал: 100 Ohm
Точність: ±5%
Pном,W: 1 W
Uном,V: 200 V (500 V max over load)
Типорозмір: 2512
у наявності: 6170 шт
6170 шт - склад
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 1.80 грн |
| 100+ | 1.50 грн |
| 1000+ | 1.20 грн |
| 220 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-220R-Hitano) Код товару: 32376
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Hitano
SMD резистори > 2512
Номінал: 220 Ohm
Точність: ±5%
Pном,W: 1 W
Uном,V: 200 V (500 V max over load)
Типорозмір: 2512
SMD резистори > 2512
Номінал: 220 Ohm
Точність: ±5%
Pном,W: 1 W
Uном,V: 200 V (500 V max over load)
Типорозмір: 2512
у наявності: 2132 шт
2030 шт - склад
102 шт - РАДІОМАГ-Київ
102 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується:
8000 шт
8000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 1.50 грн |
| 100+ | 1.30 грн |
| 1000+ | 1.00 грн |
| CP2102-GMR Код товару: 22679
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: SiLabs
Мікросхеми > Інтерфейсні
Корпус: QFN-28
Характеристики: USB-TO-UART BRIDGE
Живлення: 3,6 V
Темп.діапазон: -55…125°C
Тип монтажу: SMD
Інтерфейс: UART
Мікросхеми > Інтерфейсні
Корпус: QFN-28
Характеристики: USB-TO-UART BRIDGE
Живлення: 3,6 V
Темп.діапазон: -55…125°C
Тип монтажу: SMD
Інтерфейс: UART
у наявності: 121 шт
110 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
5 шт
5 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 131.00 грн |
| 10+ | 121.00 грн |
| 1.5KE10CA Код товару: 21191
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-201
Пікова потужність: 1500 W
Напруга пробою, Vbr: 10 V
Конструкція діода: Двоспрямований
Корпус: DO-201
Пікова потужність: 1500 W
Напруга пробою, Vbr: 10 V
Конструкція діода: Двоспрямований
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 3,3 MOhm 5% 0,25W 200V 1206 (резистор SMD) Код товару: 11319
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Uni-Ohm
SMD резистори > 1206
Номінал: 3,3 MOhm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 3,3 MOhm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 33840 шт
21300 шт - склад
4265 шт - РАДІОМАГ-Київ
800 шт - РАДІОМАГ-Львів
3880 шт - РАДІОМАГ-Харків
3595 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
4265 шт - РАДІОМАГ-Київ
800 шт - РАДІОМАГ-Львів
3880 шт - РАДІОМАГ-Харків
3595 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 0.25 грн |
| 1000+ | 0.18 грн |
| 10000+ | 0.14 грн |








