Інші пропозиції BSH205G2AR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
BSH205G2AR | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A TO236ABPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 2.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 10W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 421 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
BSH205G2AR | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A TO236ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 2.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 10W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 421 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
|
BSH205G2AR | Nexperia |
MOSFETs SOT23 P-CH 20V 2.6A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| BSH205G2AR |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 421 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 421 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BSH205G2AR |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 421 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 421 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BSH205G2AR |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT23 P-CH 20V 2.6A
MOSFETs SOT23 P-CH 20V 2.6A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
З цим товаром купують
| 100 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-100R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 35904
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Hitano
SMD резистори > 2512
Номінал: 100 Ом
Точність: ±5%
Pном, Вт: 1 Вт
Uном, В: 200 V (макс. 500 V при перевантаженні)
Типорозмір: 2512
SMD резистори > 2512
Номінал: 100 Ом
Точність: ±5%
Pном, Вт: 1 Вт
Uном, В: 200 V (макс. 500 V при перевантаженні)
Типорозмір: 2512
у наявності: 6010 шт
- 6010 шт - склад
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.80 грн |
| 100+ | 1.50 грн |
| 1000+ | 1.20 грн |
| 220 Ohm 5% 1W 2512 (RC2512JK-220R-Hitano) Код товару: 32376
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Hitano
SMD резистори > 2512
Номінал: 220 Ом
Точність: ±5%
Pном, Вт: 1 Вт
Uном, В: 200 V (макс. 500 V при перевантаженні)
Типорозмір: 2512
SMD резистори > 2512
Номінал: 220 Ом
Точність: ±5%
Pном, Вт: 1 Вт
Uном, В: 200 V (макс. 500 V при перевантаженні)
Типорозмір: 2512
у наявності: 91 шт
- 91 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 8000 шт
- 8000 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.50 грн |
| 100+ | 1.30 грн |
| 1000+ | 1.00 грн |
| CP2102-GMR Код товару: 22679
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: SiLabs
Мікросхеми > Інтерфейсні
Корпус: QFN-28
Характеристики: Міст USB-UART
Живлення: 3,6 В
Темп. діапазон: -55…125°С
Тип монтажу: SMD
Інтерфейс: UART
Мікросхеми > Інтерфейсні
Корпус: QFN-28
Характеристики: Міст USB-UART
Живлення: 3,6 В
Темп. діапазон: -55…125°С
Тип монтажу: SMD
Інтерфейс: UART
у наявності: 129 шт
- 110 шт - склад
- 13 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 2 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 1 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 131.00 грн |
| 10+ | 121.00 грн |
| 1.5KE10CA Код товару: 21191
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: DO-201
Пікова потужність, P, Вт: 1500 Вт
Напруга пробою, Vbr: 10 В
Конструкція діода: Двоспрямований
Корпус: DO-201
Пікова потужність, P, Вт: 1500 Вт
Напруга пробою, Vbr: 10 В
Конструкція діода: Двоспрямований
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 3,3 MOhm 5% 0,25W 200V 1206 (резистор SMD) Код товару: 11319
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Uni-Ohm
SMD резистори > 1206
Номінал: 3,3 МОм
Точність: ±5% J
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 3,3 МОм
Точність: ±5% J
Потужність P, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга U, В: 200 В
Типорозмір: 1206
у наявності: 33740 шт
- 21200 шт - склад
- 4265 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 800 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 3880 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 3595 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.25 грн |
| 1000+ | 0.18 грн |
| 10000+ | 0.14 грн |








