Продукція > NEXPERIA USA INC. > BSH205G2AR
BSH205G2AR

BSH205G2AR Nexperia USA Inc.

BSH205G2A.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 421 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.32 грн
6000+4.66 грн
9000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSH205G2AR Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - BSH205G2AR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.097 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 610mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BSH205G2AR за ціною від 3.64 грн до 24.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSH205G2AR BSH205G2AR Виробник : Nexperia bsh205g2a.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1197+5.98 грн
9000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 1197
В кошику  од. на суму  грн.
BSH205G2AR BSH205G2AR Виробник : Nexperia bsh205g2a.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 20349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1735+7.00 грн
3000+4.87 грн
9000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 1735
В кошику  од. на суму  грн.
BSH205G2AR BSH205G2AR Виробник : NEXPERIA BSH205G2A.pdf Description: NEXPERIA - BSH205G2AR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.097 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.07 грн
102+8.42 грн
500+6.47 грн
1000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSH205G2AR BSH205G2AR Виробник : Nexperia BSH205G2A.pdf MOSFETs SOT23 P-CH 20V 2.6A
на замовлення 728261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+22.02 грн
28+12.64 грн
100+9.85 грн
500+7.35 грн
1000+6.52 грн
3000+3.71 грн
6000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSH205G2AR BSH205G2AR Виробник : Nexperia USA Inc. BSH205G2A.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 2.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 421 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.96 грн
22+14.69 грн
100+8.90 грн
500+7.45 грн
1000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSH205G2AR BSH205G2AR Виробник : NEXPERIA BSH205G2A.pdf Description: NEXPERIA - BSH205G2AR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.097 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 610mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.097ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+24.06 грн
53+16.07 грн
102+8.42 грн
500+6.47 грн
1000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
BSH205G2AR Виробник : NEXPERIA bsh205g2a.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
78+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 78
В кошику  од. на суму  грн.
BSH205G2AR
Код товару: 205560
Додати до обраних Обраний товар

BSH205G2A.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSH205G2AR BSH205G2AR Виробник : Nexperia bsh205g2a.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.