Продукція > NEXPERIA > BSH205G2R
BSH205G2R

BSH205G2R NEXPERIA

PHGL-S-A0000772667-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSH205G2R - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.17 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.41 грн
500+24.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSH205G2R NEXPERIA

Description: MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 418 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSH205G2R за ціною від 4.88 грн до 57.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSH205G2R BSH205G2R Виробник : Nexperia 581532721299442bsh205g2.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSH205G2R
Код товару: 143365
Додати до обраних Обраний товар

BSH205G2.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSH205G2R BSH205G2R Виробник : Nexperia 581532721299442bsh205g2.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
149+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 149
В кошику  од. на суму  грн.
BSH205G2R BSH205G2R Виробник : Nexperia 581532721299442bsh205g2.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
BSH205G2R BSH205G2R Виробник : NEXPERIA 581532721299442bsh205g2.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSH205G2R BSH205G2R Виробник : Nexperia 581532721299442bsh205g2.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
BSH205G2R BSH205G2R Виробник : Nexperia 581532721299442bsh205g2.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.85 грн
6000+6.78 грн
9000+6.08 грн
15000+5.80 грн
21000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSH205G2R BSH205G2R Виробник : Nexperia 581532721299442bsh205g2.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.01 грн
6000+9.09 грн
9000+8.63 грн
15000+7.81 грн
21000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSH205G2R BSH205G2R Виробник : Nexperia 581532721299442bsh205g2.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1181+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 1181
В кошику  од. на суму  грн.
BSH205G2R BSH205G2R Виробник : Nexperia 581532721299442bsh205g2.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
873+11.48 грн
3000+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 873
В кошику  од. на суму  грн.
BSH205G2R Виробник : NEXPERIA PHGL-S-A0000772667-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSH205G2R - MOSFET, P-KANAL, -20V, -2A, TO236AB
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+57.69 грн
50+31.35 грн
100+27.41 грн
500+24.96 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BSH205G2R BSH205G2R Виробник : Nexperia 581532721299442bsh205g2.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSH205G2R BSH205G2R Виробник : Nexperia USA Inc. BSH205G2.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 418 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSH205G2R BSH205G2R Виробник : Nexperia USA Inc. BSH205G2.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 418 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSH205G2R BSH205G2R Виробник : Nexperia BSH205G2.pdf MOSFETs SOT23 P-CH 20V 2.3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSH205G2R BSH205G2R Виробник : NEXPERIA BSH205G2.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.2A; 890mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.2A
Power dissipation: 0.89W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.