на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 776+ | 4.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSH205G2R Nexperia
Description: MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 418 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BSH205G2R за ціною від 4.08 грн до 37.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSH205G2R | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSH205G2R | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSH205G2R | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSH205G2R | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSH205G2R | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSH205G2R | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSH205G2R | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 418 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSH205G2R | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSH205G2R | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH205G2R - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.12 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSH205G2R | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSH205G2R | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH205G2R - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.12 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSH205G2R | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.2A; 890mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.2A Power dissipation: 0.89W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 4061 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSH205G2R Код товару: 143365 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
BSH205G2R | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 418 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 85901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSH205G2R | Виробник : Nexperia |
MOSFETs BSH205G2/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 24229 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSH205G2R | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.2A; 890mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.2A Power dissipation: 0.89W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4061 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSH205G2R | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |