Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSL211SPH6327XTSA1
BSL211SPH6327XTSA1

BSL211SPH6327XTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BSL211SP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342c787030142db9dab0e1414
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 654 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSL211SPH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA, Supplier Device Package: PG-TSOP6-6, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 654 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSL211SPH6327XTSA1 за ціною від 14.17 грн до 74.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSL211SPH6327XTSA1 BSL211SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL211SPH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.7A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -4.7A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 67mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+50.25 грн
15+29.52 грн
100+20.96 грн
250+18.83 грн
500+17.22 грн
1000+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL211SPH6327XTSA1 BSL211SPH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSL211SP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342c787030142db9dab0e1414 Description: MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 654 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.85 грн
10+36.96 грн
100+23.98 грн
500+17.27 грн
1000+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL211SPH6327XTSA1 BSL211SPH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSL211SP_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 11377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.25 грн
10+45.63 грн
100+26.08 грн
500+20.51 грн
1000+17.97 грн
3000+15.86 грн
6000+14.17 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL211SPH6327XTSA1 BSL211SPH6327XTSA1-dte.pdf
BSL211SPH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.7A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -4.7A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 67mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±12V
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
10+50.25 грн
15+29.52 грн
100+20.96 грн
250+18.83 грн
500+17.22 грн
1000+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL211SPH6327XTSA1 Infineon-BSL211SP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342c787030142db9dab0e1414
BSL211SPH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 654 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+61.85 грн
10+36.96 грн
100+23.98 грн
500+17.27 грн
1000+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL211SPH6327XTSA1 Infineon_BSL211SP_DS_v02_00_en.pdf
BSL211SPH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 11377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+74.25 грн
10+45.63 грн
100+26.08 грн
500+20.51 грн
1000+17.97 грн
3000+15.86 грн
6000+14.17 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.