BSL211SPH6327XTSA1 Infineon Technologies


4485bsl211sp_rev2.0.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileid.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.28 грн
6000+17.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSL211SPH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSL211SPH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.7 A, 0.054 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, Verlustleistung: 2W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: OptiMOS P, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm.

Інші пропозиції BSL211SPH6327XTSA1 за ціною від 14.81 грн до 74.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSL211SPH6327XTSA1 BSL211SPH6327XTSA1 Infineon Technologies 4485bsl211sp_rev2.0.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileid.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.39 грн
6000+17.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL211SPH6327XTSA1 BSL211SPH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSL211SP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342c787030142db9dab0e1414 Description: MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 654 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL211SPH6327XTSA1 BSL211SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL211SPH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.7A; 2W; PG-TSOP-6
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Drain current: -4.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: PG-TSOP-6
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+50.14 грн
17+25.14 грн
100+18.37 грн
250+16.51 грн
500+15.41 грн
1000+14.81 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL211SPH6327XTSA1 BSL211SPH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSL211SP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342c787030142db9dab0e1414 Description: MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 654 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.79 грн
10+43.81 грн
50+32.32 грн
100+26.83 грн
500+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL211SPH6327XTSA1 BSL211SPH6327XTSA1 Infineon Technologies 4485bsl211sp_rev2.0.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileid.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.17 грн
17+45.44 грн
100+32.93 грн
500+25.68 грн
1000+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL211SPH6327XTSA1 BSL211SPH6327XTSA1 Infineon Technologies 4485bsl211sp_rev2.0.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileid.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
191+74.17 грн
311+45.44 грн
429+32.93 грн
530+25.68 грн
1000+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 191 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL211SPH6327XTSA1 BSL211SPH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSL211SP_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 11193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSL211SPH6327XTSA1 BSL211SPH6327XTSA1 INFINEON INFNS29207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSL211SPH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.7 A, 0.054 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSL211SPH6327XTSA1 BSL211SPH6327XTSA1 INFINEON INFNS29207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSL211SPH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.7 A, 0.054 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL211SPH6327XTSA1 4485bsl211sp_rev2.0.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileid.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.39 грн
6000+17.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL211SPH6327XTSA1 Infineon-BSL211SP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342c787030142db9dab0e1414
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 654 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL211SPH6327XTSA1 BSL211SPH6327XTSA1-dte.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.7A; 2W; PG-TSOP-6
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Drain current: -4.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: PG-TSOP-6
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+50.14 грн
17+25.14 грн
100+18.37 грн
250+16.51 грн
500+15.41 грн
1000+14.81 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL211SPH6327XTSA1 Infineon-BSL211SP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342c787030142db9dab0e1414
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 4.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 25µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 654 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.79 грн
10+43.81 грн
50+32.32 грн
100+26.83 грн
500+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL211SPH6327XTSA1 4485bsl211sp_rev2.0.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileid.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+74.17 грн
17+45.44 грн
100+32.93 грн
500+25.68 грн
1000+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL211SPH6327XTSA1 4485bsl211sp_rev2.0.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileid.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
191+74.17 грн
311+45.44 грн
429+32.93 грн
530+25.68 грн
1000+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 191 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL211SPH6327XTSA1 Infineon_BSL211SP_DS_v02_00_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 11193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSL211SPH6327XTSA1 INFNS29207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSL211SPH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.7 A, 0.054 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSL211SPH6327XTSA1 INFNS29207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSL211SPH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.7 A, 0.054 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.