BSL214NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; TSOP6
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.5W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; TSOP6
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.5W
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSL214NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; TSOP6, Mounting: SMD, Case: TSOP6, Polarisation: unipolar, Technology: OptiMOS™ 2, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±12V, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 1.5A, On-state resistance: 0.25Ω, Type of transistor: N-MOSFET x2, Power dissipation: 0.5W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BSL214NH6327XTSA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
BSL214NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A 6TSOP |
товар відсутній |
||
BSL214NH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH |
товар відсутній |
||
BSL214NH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; TSOP6 Mounting: SMD Case: TSOP6 Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.5A On-state resistance: 0.25Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.5W |
товар відсутній |