BSL214NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES


BSL214N.pdf Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL214NH6327XTSA1 Multi channel transistors
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSL214NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TSOP6-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 500mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V, FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA, Supplier Device Package: PG-TSOP6-6, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSL214NH6327XTSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSL214NH6327XTSA1 BSL214NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSL214N.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TSOP6-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL214NH6327XTSA1 BSL214NH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSL214N-DS-v02_03-en-1731158.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.