Продукція > INFINEON > BSL215CH6327XTSA1
BSL215CH6327XTSA1

BSL215CH6327XTSA1 Infineon

info-tbsl215c.pdf
Виробник: Infineon
Transistor N/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 250mOhm/280mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSL215CH6327XTSA1; BSL215C H6327; SP001101000; BSL215CH6327; BSL215CH6327XTSA1 TBSL215c
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+15.01 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSL215CH6327XTSA1 Infineon

Description: INFINEON - BSL215CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.108 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.108ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.108ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BSL215CH6327XTSA1 за ціною від 12.83 грн до 63.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSL215CH6327XTSA1 BSL215CH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSL215C-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed4394210289 Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP6-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.18 грн
9000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL215CH6327XTSA1 BSL215CH6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbsl215cdsv0202en.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 16374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+44.58 грн
100+32.36 грн
500+26.77 грн
1000+23.51 грн
3000+16.49 грн
6000+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL215CH6327XTSA1 BSL215CH6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbsl215cdsv0202en.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 16374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
317+44.58 грн
437+32.36 грн
528+26.77 грн
1000+23.51 грн
3000+16.49 грн
6000+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL215CH6327XTSA1 BSL215CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL215CH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1.5/-1.5A; 0.5W
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 1.5/-1.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: PG-TSOP-6
On-state resistance: 0.173/0.25Ω
Mounting: SMD
на замовлення 949 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+54.70 грн
12+35.30 грн
50+26.07 грн
60+25.23 грн
100+22.94 грн
500+19.13 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL215CH6327XTSA1 BSL215CH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSL215C-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed4394210289 Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP6-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.29 грн
10+37.86 грн
50+27.82 грн
100+23.04 грн
500+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL215CH6327XTSA1 BSL215CH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSL215C_DS_v02_02_en.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 36609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSL215CH6327XTSA1 BSL215CH6327XTSA1 INFINEON INFNS28203-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSL215CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.108 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.108ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.108ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL215CH6327XTSA1 BSL215CH6327XTSA1 INFINEON INFNS28203-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSL215CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.108 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.108ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.108ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL215CH6327XTSA1 Infineon-BSL215C-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed4394210289
BSL215CH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP6-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.18 грн
9000+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL215CH6327XTSA1 infineonbsl215cdsv0202en.pdf
BSL215CH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 16374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+44.58 грн
100+32.36 грн
500+26.77 грн
1000+23.51 грн
3000+16.49 грн
6000+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL215CH6327XTSA1 infineonbsl215cdsv0202en.pdf
BSL215CH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 16374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
317+44.58 грн
437+32.36 грн
528+26.77 грн
1000+23.51 грн
3000+16.49 грн
6000+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 317 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL215CH6327XTSA1 BSL215CH6327XTSA1.pdf
BSL215CH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1.5/-1.5A; 0.5W
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 1.5/-1.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: PG-TSOP-6
On-state resistance: 0.173/0.25Ω
Mounting: SMD
на замовлення 949 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+54.70 грн
12+35.30 грн
50+26.07 грн
60+25.23 грн
100+22.94 грн
500+19.13 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL215CH6327XTSA1 Infineon-BSL215C-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed4394210289
BSL215CH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP6-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+63.29 грн
10+37.86 грн
50+27.82 грн
100+23.04 грн
500+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL215CH6327XTSA1 Infineon_BSL215C_DS_v02_02_en.pdf
BSL215CH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 36609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSL215CH6327XTSA1 INFNS28203-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSL215CH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSL215CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.108 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.108ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.108ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL215CH6327XTSA1 INFNS28203-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSL215CH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSL215CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.108 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.108ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.108ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.