BSL215CH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSL215CH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSL215CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.108 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.108ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.108ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції BSL215CH6327XTSA1 за ціною від 10.46 грн до 54.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSL215CH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP6-6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSL215CH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSL215CH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSL215CH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSL215CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.108 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.108ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Produktpalette: OptiMOS 2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.108ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 14369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSL215CH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1.5/-1.5A; 0.5W Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 1.5/-1.5A Power dissipation: 0.5W Case: PG-TSOP-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.173/0.25Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2495 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSL215CH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1.5/-1.5A; 0.5W Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 1.5/-1.5A Power dissipation: 0.5W Case: PG-TSOP-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.173/0.25Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2495 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSL215CH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP6-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 19906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
BSL215CH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH |
на замовлення 105673 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSL215CH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 1309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSL215CH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 1309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSL215CH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 5819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
BSL215CH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSL215CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.108 ohm tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.108ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.108ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 12379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| BSL215CH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
N/P-MOSFET 20V 1.5A 140mΩ 500mW BSL215CH6327XTSA1 BSL215CH6327 Infineon TBSL215c кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| BSL215CH6327XTSA1 | Виробник : Infineon |
N/P-MOSFET 20V 1.5A 140mΩ 500mW BSL215CH6327XTSA1 BSL215CH6327 Infineon TBSL215c кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|