Технічний опис BSL215CH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSL215CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.108 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.108ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.108ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BSL215CH6327XTSA1 за ціною від 12.87 грн до 62.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSL215CH6327XTSA1 | Infineon |
Transistor N/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 250mOhm/280mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSL215CH6327XTSA1; BSL215C H6327; SP001101000; BSL215CH6327; BSL215CH6327XTSA1 TBSL215cкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 2130 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSL215CH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP6-6Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 500mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Complementary Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSL215CH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 4969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSL215CH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSL215CH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSL215CH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 11850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSL215CH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1.5/-1.5A; 0.5W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 2 Drain current: 1.5/-1.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Case: PG-TSOP-6 On-state resistance: 0.173/0.25Ω Mounting: SMD Power dissipation: 0.5W |
на замовлення 949 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSL215CH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP6-6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 22110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BSL215CH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH |
на замовлення 14705 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BSL215CH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSL215CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.108 ohmtariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.108ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.108ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BSL215CH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 45 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
BSL215CH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSL215CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.108 ohmtariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.108ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.108ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSL215CH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor N/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 250mOhm/280mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSL215CH6327XTSA1; BSL215C H6327; SP001101000; BSL215CH6327; BSL215CH6327XTSA1 TBSL215c
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 250mOhm/280mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSL215CH6327XTSA1; BSL215C H6327; SP001101000; BSL215CH6327; BSL215CH6327XTSA1 TBSL215c
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 15.07 грн |
| BSL215CH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP6-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP6-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 15.22 грн |
| 9000+ | 12.87 грн |
| BSL215CH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 732+ | 19.37 грн |
| 737+ | 19.26 грн |
| 1000+ | 18.79 грн |
| BSL215CH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 21.91 грн |
| BSL215CH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 35+ | 22.21 грн |
| 39+ | 19.39 грн |
| 58+ | 13.16 грн |
| BSL215CH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 11850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 575+ | 24.69 грн |
| 577+ | 24.57 грн |
| 1000+ | 23.98 грн |
| BSL215CH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1.5/-1.5A; 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 1.5/-1.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: PG-TSOP-6
On-state resistance: 0.173/0.25Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1.5/-1.5A; 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 1.5/-1.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Case: PG-TSOP-6
On-state resistance: 0.173/0.25Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
на замовлення 949 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 53.69 грн |
| 12+ | 34.65 грн |
| 50+ | 25.59 грн |
| 60+ | 24.76 грн |
| 100+ | 22.52 грн |
| 500+ | 18.78 грн |
| BSL215CH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP6-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP6-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 62.91 грн |
| 10+ | 37.99 грн |
| 50+ | 27.90 грн |
| 100+ | 23.10 грн |
| 500+ | 17.71 грн |
| BSL215CH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 14705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSL215CH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSL215CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.108 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.108ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.108ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - BSL215CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.108 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.108ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.108ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSL215CH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSL215CH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSL215CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.108 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.108ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.108ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - BSL215CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.108 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.108ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.108ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







