Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSL308CH6327XTSA1
BSL308CH6327XTSA1

BSL308CH6327XTSA1 Infineon Technologies

4035bsl308c_rev.2.1.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileid.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A Automotive 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSL308CH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSL308CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.044 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSL308CH6327XTSA1 за ціною від 11.63 грн до 67.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4035bsl308c_rev.2.1.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileid.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.91 грн
6000+12.81 грн
9000+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4035bsl308c_rev.2.1.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileid.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.84 грн
6000+13.74 грн
9000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4035bsl308c_rev.2.1.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileid.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 12264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1855+16.61 грн
Мінімальне замовлення: 1855
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS28127-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSL308CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.044 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 18463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+24.38 грн
500+18.45 грн
1500+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4035bsl308c_rev.2.1.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileid.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
233+52.89 грн
Мінімальне замовлення: 233
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS28127-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSL308CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.044 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 18463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+56.95 грн
50+34.96 грн
100+24.38 грн
500+18.45 грн
1500+15.35 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSL308C_DS_v02_01_en.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 85462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.01 грн
11+33.13 грн
100+20.07 грн
500+15.73 грн
1000+13.91 грн
3000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSL308C-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012060ff862e6193 Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.3A TSOP6-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.48 грн
10+37.53 грн
100+22.82 грн
500+16.41 грн
1000+14.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSL308C-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012060ff862e6193 BSL308CH6327XTSA1 Multi channel transistors
на замовлення 2654 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.22 грн
65+17.29 грн
179+16.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4035bsl308c_rev.2.1.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileid.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4035bsl308c_rev.2.1.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileid.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSL308C-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012060ff862e6193 Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.3A TSOP6-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.