Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSL308CH6327XTSA1
BSL308CH6327XTSA1

BSL308CH6327XTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BSL308C-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012060ff862e6193
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.3A TSOP6-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A, 2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.78 грн
9000+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSL308CH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSL308CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.044 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції BSL308CH6327XTSA1 за ціною від 13.97 грн до 74.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL308CH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.3/-2A; 0.5W
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 2.3/-2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSOP-6
On-state resistance: 67/88mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 3098 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+62.90 грн
11+40.63 грн
50+27.93 грн
100+23.87 грн
500+17.35 грн
1000+15.58 грн
3000+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSL308C-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012060ff862e6193 Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.3A TSOP6-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.79 грн
10+43.50 грн
50+32.10 грн
100+26.65 грн
500+20.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbsl308cdsv0201en.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.63 грн
15+50.30 грн
100+34.27 грн
500+25.75 грн
1000+21.49 грн
3000+18.62 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 Infineon Technologies infineonbsl308cdsv0201en.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+74.63 грн
281+50.30 грн
412+34.27 грн
529+25.75 грн
1000+21.49 грн
3000+18.62 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSL308C_DS_v02_01_en.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 67607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 INFINEON INFNS28127-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSL308CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.044 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 INFINEON INFNS28127-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSL308CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.044 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1.pdf
BSL308CH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.3/-2A; 0.5W
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 2.3/-2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSOP-6
On-state resistance: 67/88mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 3098 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+62.90 грн
11+40.63 грн
50+27.93 грн
100+23.87 грн
500+17.35 грн
1000+15.58 грн
3000+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 Infineon-BSL308C-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012060ff862e6193
BSL308CH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.3A TSOP6-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.79 грн
10+43.50 грн
50+32.10 грн
100+26.65 грн
500+20.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 infineonbsl308cdsv0201en.pdf
BSL308CH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+74.63 грн
15+50.30 грн
100+34.27 грн
500+25.75 грн
1000+21.49 грн
3000+18.62 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 infineonbsl308cdsv0201en.pdf
BSL308CH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
190+74.63 грн
281+50.30 грн
412+34.27 грн
529+25.75 грн
1000+21.49 грн
3000+18.62 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 Infineon_BSL308C_DS_v02_01_en.pdf
BSL308CH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 67607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 INFNS28127-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSL308CH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSL308CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.044 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 INFNS28127-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSL308CH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSL308CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.044 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 12275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.