Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSL308CH6327XTSA1
BSL308CH6327XTSA1

BSL308CH6327XTSA1 Infineon Technologies

4035bsl308c_rev.2.1.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileid.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A Automotive 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSL308CH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSL308CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.044 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSL308CH6327XTSA1 за ціною від 11.47 грн до 65.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4035bsl308c_rev.2.1.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileid.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.88 грн
6000+11.79 грн
9000+11.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4035bsl308c_rev.2.1.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileid.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.79 грн
6000+12.69 грн
9000+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSL308C-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012060ff862e6193 Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.3A TSOP6-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.78 грн
6000+13.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4035bsl308c_rev.2.1.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileid.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 12264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1855+16.46 грн
Мінімальне замовлення: 1855
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS28127-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSL308CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.044 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 18463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.60 грн
500+17.86 грн
1500+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSL308CH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.3/-2A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.3/-2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 67/88mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+42.91 грн
14+29.20 грн
50+22.76 грн
65+13.95 грн
178+13.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSL308CH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.3/-2A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.3/-2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 67/88mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+51.50 грн
10+36.38 грн
50+27.31 грн
65+16.74 грн
178+15.82 грн
3000+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4035bsl308c_rev.2.1.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileid.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
233+52.38 грн
Мінімальне замовлення: 233
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS28127-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSL308CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.044 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 18463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+55.13 грн
50+33.84 грн
100+23.60 грн
500+17.86 грн
1500+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSL308C_DS_v02_01_en-1731178.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 99307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.34 грн
10+36.63 грн
100+21.85 грн
500+17.66 грн
1000+15.89 грн
3000+13.54 грн
9000+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSL308C-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012060ff862e6193 Description: MOSFET N/P-CH 30V 2.3A TSOP6-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A, 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 2.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.26 грн
10+38.55 грн
100+23.45 грн
500+17.26 грн
1000+15.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4035bsl308c_rev.2.1.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileid.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4035bsl308c_rev.2.1.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileid.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.