Інші пропозиції BSL308PEH6327XTSA1 за ціною від 15.66 грн до 81.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSL308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 11µA FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 500mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSL308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSL308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSL308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSL308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSL308PEH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6; ESD Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: OptiMOS™ P3 Drain current: -2A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -30V Type of transistor: P-MOSFET x2 Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TSOP-6 On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD |
на замовлення 1271 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSL308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 11µA Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 25275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSL308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 10163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSL308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 10163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSL308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH |
на замовлення 5490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BSL308PEH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSL308PEH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 0.062 ohmtariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS P3 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
BSL308PEH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSL308PEH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 0.062 ohmtariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS P3 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSL308PEH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 11µA
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 11µA
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 18.46 грн |
| 9000+ | 15.66 грн |
| BSL308PEH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 20.96 грн |
| 6000+ | 18.93 грн |
| 9000+ | 17.83 грн |
| 15000+ | 16.76 грн |
| BSL308PEH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 21.07 грн |
| 6000+ | 19.04 грн |
| 9000+ | 17.93 грн |
| 15000+ | 16.85 грн |
| BSL308PEH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 22.42 грн |
| 6000+ | 19.76 грн |
| 9000+ | 18.36 грн |
| BSL308PEH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 22.42 грн |
| 6000+ | 19.76 грн |
| 9000+ | 18.36 грн |
| BSL308PEH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6; ESD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: OptiMOS™ P3
Drain current: -2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSOP-6
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6; ESD
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: OptiMOS™ P3
Drain current: -2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSOP-6
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 1271 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 62.90 грн |
| 12+ | 35.89 грн |
| 100+ | 23.03 грн |
| 500+ | 17.69 грн |
| 1000+ | 16.85 грн |
| BSL308PEH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 71.20 грн |
| 10+ | 42.74 грн |
| 50+ | 31.50 грн |
| 100+ | 26.15 грн |
| 500+ | 20.14 грн |
| BSL308PEH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 81.61 грн |
| 14+ | 56.96 грн |
| 100+ | 39.19 грн |
| 500+ | 28.63 грн |
| 1000+ | 22.87 грн |
| 3000+ | 18.43 грн |
| 6000+ | 16.39 грн |
| 9000+ | 16.00 грн |
| BSL308PEH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET P-CH 30V 2A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 173+ | 81.61 грн |
| 248+ | 56.96 грн |
| 361+ | 39.19 грн |
| 500+ | 28.63 грн |
| 1000+ | 22.87 грн |
| 3000+ | 18.43 грн |
| 6000+ | 16.39 грн |
| 9000+ | 16.00 грн |
| BSL308PEH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 5490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSL308PEH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSL308PEH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 0.062 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - BSL308PEH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 0.062 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSL308PEH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSL308PEH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 0.062 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: INFINEON - BSL308PEH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 0.062 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







