BSL308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 8.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSL308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 500mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 11µA, Supplier Device Package: PG-TSOP6-6, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BSL308PEH6327XTSA1 за ціною від 13.04 грн до 57.9 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSL308PEH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 11µA Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSL308PEH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: OptiMOS™ P3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2A Power dissipation: 0.5W Case: PG-TSOP-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 2147 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSL308PEH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSL308PEH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 0.062 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 11443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSL308PEH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: OptiMOS™ P3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2A Power dissipation: 0.5W Case: PG-TSOP-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2147 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSL308PEH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 11µA Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 25145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSL308PEH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH |
на замовлення 31546 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSL308PEH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSL308PEH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 0.062 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 11443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BSL308PEH6327XTSA1 Код товару: 163576 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|