Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSL308PEH6327XTSA1
BSL308PEH6327XTSA1

BSL308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies

4034bsl308pe_rev2.03.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSL308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSL308PEH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 0.062 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: OptiMOS P3 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSL308PEH6327XTSA1 за ціною від 11.60 грн до 63.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4034bsl308pe_rev2.03.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.87 грн
6000+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSL308PE-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d8ff3592c03d0 Description: MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.43 грн
6000+13.66 грн
9000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4034bsl308pe_rev2.03.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.94 грн
6000+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4034bsl308pe_rev2.03.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4034bsl308pe_rev2.03.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4034bsl308pe_rev2.03.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 4282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
628+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 628
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4034bsl308pe_rev2.03.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
628+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 628
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4034bsl308pe_rev2.03.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
584+21.32 грн
665+18.70 грн
670+18.56 грн
745+16.11 грн
1000+14.39 грн
Мінімальне замовлення: 584
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4034bsl308pe_rev2.03.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 4842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
526+23.65 грн
546+22.80 грн
1000+22.05 грн
2500+20.63 грн
Мінімальне замовлення: 526
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS28208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSL308PEH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 0.062 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.74 грн
500+20.54 грн
1000+17.41 грн
5000+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4034bsl308pe_rev2.03.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+26.54 грн
32+22.84 грн
100+19.32 грн
250+17.76 грн
500+15.34 грн
1000+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA913D1D61B311CC&compId=BSL308PEH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=2926dcc98cc2f16e4e3030d97715eb942d9c5794 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6; ESD
Technology: OptiMOS™ P3
Type of transistor: P-MOSFET x2
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-TSOP-6
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+36.15 грн
18+23.26 грн
100+19.02 грн
400+16.47 грн
500+16.31 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308PEH6327XTSA1
Код товару: 163576
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-BSL308PE-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d8ff3592c03d0 Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA913D1D61B311CC&compId=BSL308PEH6327XTSA1-DTE.pdf?ci_sign=2926dcc98cc2f16e4e3030d97715eb942d9c5794 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6; ESD
Technology: OptiMOS™ P3
Type of transistor: P-MOSFET x2
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-TSOP-6
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.38 грн
11+28.98 грн
100+22.83 грн
400+19.76 грн
500+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSL308PE_DS_v02_03_en-1226247.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 18378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+49.95 грн
10+42.53 грн
100+27.62 грн
500+21.71 грн
1000+16.80 грн
3000+15.27 грн
9000+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS28208-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSL308PEH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 0.062 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P3 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+52.59 грн
25+34.86 грн
100+25.74 грн
500+20.54 грн
1000+17.41 грн
5000+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSL308PE-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d8ff3592c03d0 Description: MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.91 грн
10+38.37 грн
100+24.91 грн
500+17.93 грн
1000+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.