
BSL308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 11.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSL308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSL308PEH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 0.062 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: OptiMOS P3 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSL308PEH6327XTSA1 за ціною від 10.58 грн до 50.42 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSL308PEH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSL308PEH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSL308PEH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSL308PEH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 11µA Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSL308PEH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSL308PEH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSL308PEH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSL308PEH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSL308PEH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSL308PEH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSL308PEH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS P3 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 9180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSL308PEH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6; ESD Case: PG-TSOP-6 Drain-source voltage: -30V Drain current: -2A On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: OptiMOS™ P3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD |
на замовлення 2062 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
BSL308PEH6327XTSA1 Код товару: 163576
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
![]() |
BSL308PEH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 11µA Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 10633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSL308PEH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6; ESD Case: PG-TSOP-6 Drain-source voltage: -30V Drain current: -2A On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: OptiMOS™ P3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2062 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSL308PEH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 18378 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
BSL308PEH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS P3 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 9180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|