Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSL316CH6327XTSA1
BSL316CH6327XTSA1

BSL316CH6327XTSA1 Infineon Technologies

BSL316C_rev2+3.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed6aee7702ee
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 1.4A TSOP6-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A, 1.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.39 грн
6000+11.82 грн
9000+11.28 грн
15000+10.01 грн
21000+9.67 грн
30000+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSL316CH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSL316CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.4 A, 1.4 A, 0.119 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.119ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.119ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSL316CH6327XTSA1 за ціною від 8.24 грн до 56.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 Infineon Technologies 237bsl316c_rev23.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileiddb.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
845+16.63 грн
1171+12.01 грн
1183+11.89 грн
1439+9.42 грн
1461+8.59 грн
Мінімальне замовлення: 845 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 Infineon Technologies 237bsl316c_rev23.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileiddb.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
785+17.91 грн
814+17.26 грн
1000+16.70 грн
2500+15.62 грн
5000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 785 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 Infineon Technologies 237bsl316c_rev23.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileiddb.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
560+25.10 грн
Мінімальне замовлення: 560 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 Infineon Technologies 237bsl316c_rev23.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileiddb.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+26.22 грн
45+16.80 грн
46+16.63 грн
100+11.58 грн
250+10.61 грн
500+8.37 грн
1000+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL316CH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 1.4/-1.5A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 1.4/-1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.191/0.177Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
на замовлення 2060 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.46 грн
13+32.94 грн
15+28.66 грн
50+19.85 грн
100+17.13 грн
500+12.77 грн
1000+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL316C_rev2+3.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed6aee7702ee Description: MOSFET N/P-CH 30V 1.4A TSOP6-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A, 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 64408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.96 грн
10+33.87 грн
100+21.86 грн
500+15.66 грн
1000+14.09 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL316C_rev2 3.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 42685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 INFINEON INFNS30418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSL316CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.4 A, 1.4 A, 0.119 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.119ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.119ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 INFINEON INFNS30418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSL316CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.4 A, 1.4 A, 0.119 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.119ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.119ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL316CH6327XTSA1 237bsl316c_rev23.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileiddb.pdf
BSL316CH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
845+16.63 грн
1171+12.01 грн
1183+11.89 грн
1439+9.42 грн
1461+8.59 грн
Мінімальне замовлення: 845 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL316CH6327XTSA1 237bsl316c_rev23.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileiddb.pdf
BSL316CH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
785+17.91 грн
814+17.26 грн
1000+16.70 грн
2500+15.62 грн
5000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 785 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL316CH6327XTSA1 237bsl316c_rev23.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileiddb.pdf
BSL316CH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
560+25.10 грн
Мінімальне замовлення: 560 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL316CH6327XTSA1 237bsl316c_rev23.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileiddb.pdf
BSL316CH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+26.22 грн
45+16.80 грн
46+16.63 грн
100+11.58 грн
250+10.61 грн
500+8.37 грн
1000+8.24 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1.pdf
BSL316CH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 1.4/-1.5A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 1.4/-1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.191/0.177Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
на замовлення 2060 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+43.46 грн
13+32.94 грн
15+28.66 грн
50+19.85 грн
100+17.13 грн
500+12.77 грн
1000+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL316CH6327XTSA1 BSL316C_rev2+3.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed6aee7702ee
BSL316CH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 1.4A TSOP6-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A, 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 64408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+56.96 грн
10+33.87 грн
100+21.86 грн
500+15.66 грн
1000+14.09 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL316CH6327XTSA1 BSL316C_rev2 3.pdf
BSL316CH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 42685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSL316CH6327XTSA1 INFNS30418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSL316CH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSL316CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.4 A, 1.4 A, 0.119 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.119ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.119ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL316CH6327XTSA1 INFNS30418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSL316CH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSL316CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.4 A, 1.4 A, 0.119 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.119ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.119ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.