BSL316CH6327XTSA1 Infineon Technologies


BSL316C_rev2+3.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed6aee7702ee
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 1.4A TSOP6-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A, 1.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 87000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+9.35 грн
6000+8.24 грн
9000+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSL316CH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N/P-CH 30V 1.4A TSOP6-6, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Part Status: Active, Supplier Device Package: PG-TSOP6-6, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA, FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A, 1.5A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 500mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: N and P-Channel Complementary, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції BSL316CH6327XTSA1 за ціною від 9.30 грн до 52.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL316CH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 1.4/-1.5A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 1.4/-1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.191/0.177Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.86 грн
15+29.18 грн
18+24.60 грн
50+17.05 грн
100+14.68 грн
500+11.11 грн
1000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL316C_rev2+3.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed6aee7702ee Description: MOSFET N/P-CH 30V 1.4A TSOP6-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A, 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 88291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.58 грн
11+28.33 грн
100+18.17 грн
500+12.95 грн
1000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 Infineon Technologies BSL316C_rev2 3.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 93685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.30 грн
11+32.02 грн
100+17.90 грн
500+13.60 грн
1000+12.19 грн
3000+10.01 грн
6000+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 1.4/-1.5A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 1.4/-1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.191/0.177Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
11+43.86 грн
15+29.18 грн
18+24.60 грн
50+17.05 грн
100+14.68 грн
500+11.11 грн
1000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL316CH6327XTSA1 BSL316C_rev2+3.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed6aee7702ee
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 1.4A TSOP6-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A, 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 88291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+47.58 грн
11+28.33 грн
100+18.17 грн
500+12.95 грн
1000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL316CH6327XTSA1 BSL316C_rev2 3.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 93685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+52.30 грн
11+32.02 грн
100+17.90 грн
500+13.60 грн
1000+12.19 грн
3000+10.01 грн
6000+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.