BSL316CH6327XTSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 1.4A TSOP6-6
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A, 1.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 13.44 грн |
| 9000+ | 11.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSL316CH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSL316CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.4 A, 1.4 A, 0.119 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.119ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.119ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSL316CH6327XTSA1 за ціною від 11.68 грн до 56.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSL316CH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSL316CH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSL316CH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 8500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSL316CH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 8500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSL316CH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 1.4/-1.5A; 0.5W Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 2 Drain current: 1.4/-1.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TSOP-6 On-state resistance: 0.191/0.177Ω Mounting: SMD |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSL316CH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 1.4A TSOP6-6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A, 1.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 59810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSL316CH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH |
на замовлення 41005 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BSL316CH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSL316CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.4 A, 1.4 A, 0.119 ohmtariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.119ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.119ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 15719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BSL316CH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSL316CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.4 A, 1.4 A, 0.119 ohmtariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.119ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.119ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 15719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| BSL316CH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.59 грн |
| 9000+ | 13.10 грн |
| BSL316CH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 14.68 грн |
| 9000+ | 13.17 грн |
| BSL316CH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 38.41 грн |
| 50+ | 32.55 грн |
| 100+ | 26.44 грн |
| 500+ | 18.03 грн |
| 3000+ | 13.04 грн |
| BSL316CH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 368+ | 38.41 грн |
| 434+ | 32.55 грн |
| 534+ | 26.44 грн |
| 755+ | 18.03 грн |
| 3000+ | 13.04 грн |
| BSL316CH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 1.4/-1.5A; 0.5W
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 1.4/-1.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSOP-6
On-state resistance: 0.191/0.177Ω
Mounting: SMD
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 1.4/-1.5A; 0.5W
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 1.4/-1.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TSOP-6
On-state resistance: 0.191/0.177Ω
Mounting: SMD
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 44.67 грн |
| 13+ | 33.86 грн |
| 15+ | 29.46 грн |
| 50+ | 20.40 грн |
| 100+ | 17.61 грн |
| 500+ | 13.12 грн |
| 1000+ | 11.68 грн |
| BSL316CH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 1.4A TSOP6-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A, 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N/P-CH 30V 1.4A TSOP6-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A, 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 59810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 56.96 грн |
| 10+ | 33.98 грн |
| 50+ | 24.90 грн |
| 100+ | 20.60 грн |
| 500+ | 15.72 грн |
| BSL316CH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 41005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSL316CH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSL316CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.4 A, 1.4 A, 0.119 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.119ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.119ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BSL316CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.4 A, 1.4 A, 0.119 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.119ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.119ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSL316CH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSL316CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.4 A, 1.4 A, 0.119 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.119ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.119ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BSL316CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.4 A, 1.4 A, 0.119 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.119ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.119ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






