BSL316CH6327XTSA1

BSL316CH6327XTSA1 Infineon Technologies


BSL316C_rev2+3.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed6aee7702ee
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 1.4A TSOP6-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A, 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 87000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.23 грн
6000+8.13 грн
9000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSL316CH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSL316CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.4 A, 1.4 A, 0.119 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.119ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.119ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSL316CH6327XTSA1 за ціною від 7.51 грн до 46.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 237bsl316c_rev23.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileiddb.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
845+16.52 грн
1171+11.93 грн
1183+11.81 грн
1439+9.36 грн
1461+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 845
В кошику  од. на суму  грн.
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 237bsl316c_rev23.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileiddb.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
785+17.79 грн
814+17.15 грн
1000+16.59 грн
2500+15.52 грн
5000+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 785
В кошику  од. на суму  грн.
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS30418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSL316CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.4 A, 1.4 A, 0.119 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.119ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.119ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.25 грн
500+14.09 грн
1500+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 237bsl316c_rev23.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileiddb.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
560+24.93 грн
Мінімальне замовлення: 560
В кошику  од. на суму  грн.
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 237bsl316c_rev23.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileiddb.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+26.05 грн
45+16.69 грн
46+16.52 грн
100+11.50 грн
250+10.54 грн
500+8.32 грн
1000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSL316C_rev2 3.pdf MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 102125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.40 грн
18+17.99 грн
100+9.87 грн
500+8.21 грн
1000+7.65 грн
3000+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS30418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSL316CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.4 A, 1.4 A, 0.119 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.119ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.119ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+38.70 грн
50+24.99 грн
100+18.25 грн
500+14.09 грн
1500+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSL316CH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 1.4/-1.5A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 1.4/-1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.191/0.177Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+43.27 грн
15+28.80 грн
18+24.27 грн
50+16.82 грн
100+14.48 грн
500+10.97 грн
1000+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSL316C_rev2+3.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed6aee7702ee Description: MOSFET N/P-CH 30V 1.4A TSOP6-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A, 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 282pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 88291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.94 грн
11+27.95 грн
100+17.92 грн
500+12.78 грн
1000+11.47 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 237bsl316c_rev23.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileiddb.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.4A/1.5A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.