BSL606SNH6327XTSA1 Infineon Technologies
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSL606SNH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSL606SNH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.049 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSL606SNH6327XTSA1 за ціною від 10.05 грн до 60.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSL606SNH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 60V 4.5A TSOP-6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSL606SNH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSL606SNH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSL606SNH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSL606SNH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSL606SNH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSL606SNH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSL606SNH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.049 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSL606SNH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; PG-TSOP-6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 2W Case: PG-TSOP-6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 On-state resistance: 95mΩ Drain current: 4.5A Drain-source voltage: 60V Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 4585 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
BSL606SNH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs OptiMOS3 Sm-Signl 60V 60mOhm 1.5A |
на замовлення 6102 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSL606SNH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 2209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSL606SNH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 4.5A TSOP-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA Supplier Device Package: PG-TSOP6-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 18291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSL606SNH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - BSL606SNH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.049 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSL606SNH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; PG-TSOP-6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 2W Case: PG-TSOP-6 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 On-state resistance: 95mΩ Drain current: 4.5A Drain-source voltage: 60V Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4585 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSL606SNH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
BSL606SNH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 4.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 2209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|