Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSL606SNH6327XTSA1
BSL606SNH6327XTSA1

BSL606SNH6327XTSA1 Infineon Technologies

Infineon-BSL606SN-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433c6c52e2013c6ca13340015f
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 4.5A TSOP-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+12.79 грн
6000+11.30 грн
9000+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSL606SNH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 4.5A TSOP-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA, Supplier Device Package: PG-TSOP6-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSL606SNH6327XTSA1 за ціною від 10.71 грн до 61.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSL606SNH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSL606SN_DS_v02_02_en-1226330.pdf MOSFETs OptiMOS3 Sm-Signl 60V 60mOhm 1.5A
на замовлення 6102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.80 грн
10+34.21 грн
100+22.20 грн
500+17.48 грн
1000+13.53 грн
3000+12.33 грн
9000+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL606SNH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL606SNH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; PG-TSOP-6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PG-TSOP-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
On-state resistance: 95mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
на замовлення 3622 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+47.51 грн
13+33.60 грн
50+25.11 грн
100+22.23 грн
500+16.88 грн
1000+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL606SNH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSL606SN-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433c6c52e2013c6ca13340015f Description: MOSFET N-CH 60V 4.5A TSOP-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.06 грн
10+36.50 грн
100+23.60 грн
500+16.93 грн
1000+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL606SNH6327XTSA1 Infineon_BSL606SN_DS_v02_02_en-1226330.pdf
BSL606SNH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS3 Sm-Signl 60V 60mOhm 1.5A
на замовлення 6102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
9+39.80 грн
10+34.21 грн
100+22.20 грн
500+17.48 грн
1000+13.53 грн
3000+12.33 грн
9000+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL606SNH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1.pdf
BSL606SNH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; PG-TSOP-6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PG-TSOP-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
On-state resistance: 95mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
на замовлення 3622 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
10+47.51 грн
13+33.60 грн
50+25.11 грн
100+22.23 грн
500+16.88 грн
1000+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL606SNH6327XTSA1 Infineon-BSL606SN-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433c6c52e2013c6ca13340015f
BSL606SNH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 4.5A TSOP-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+61.06 грн
10+36.50 грн
100+23.60 грн
500+16.93 грн
1000+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.