BSL802SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.5A; 2W; TSOP6
Technology: OptiMOS™ 2
Case: TSOP6
Mounting: SMD
On-state resistance: 31mΩ
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSL802SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.5A; 2W; TSOP6, Technology: OptiMOS™ 2, Case: TSOP6, Mounting: SMD, On-state resistance: 31mΩ, Power dissipation: 2W, Polarisation: unipolar, Drain current: 7.5A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 20V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±8V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BSL802SNH6327XTSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BSL802SNH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP-6 |
товар відсутній |
|
 |
BSL802SNH6327XTSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET SMALL SIGNALN-CH |
товар відсутній |
|
|
|
BSL802SNH6327XTSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.5A; 2W; TSOP6 Technology: OptiMOS™ 2 Case: TSOP6 Mounting: SMD On-state resistance: 31mΩ Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Drain current: 7.5A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 20V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±8V |
товар відсутній |