BSM080D12P2C008 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 600W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13.2mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 24125.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM080D12P2C008 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULE, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 600W, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13.2mA, Supplier Device Package: Module, Part Status: Active.
Інші пропозиції BSM080D12P2C008 за ціною від 26018.69 грн до 27265.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSM080D12P2C008 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules Half Bridge Module SiC DMOS & SBD 1200V |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|