BSM100GB120DLCHOSA1 Infineon Technologies
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 16577.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM100GB120DLCHOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 100A 830W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 830 W.
Інші пропозиції BSM100GB120DLCHOSA1 за ціною від 17215.43 грн до 17215.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSM100GB120DLCHOSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM100GB120DLCHOSA1 - BSM100GB120 INSULATED GATE BIPOLAReuEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| BSM100GB120DLCHOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH |
товару немає в наявності |
||||||
| BSM100GB120DLCHOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 100A 830W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 125°C NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 830 W |
товару немає в наявності |