BSM100GB120DN2KHOSA1 Infineon Technologies
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 7554.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM100GB120DN2KHOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 145A 700W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Current - Collector (Ic) (Max): 145 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 700 W, Current - Collector Cutoff (Max): 2 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.5 nF @ 25 V.
Інші пропозиції BSM100GB120DN2KHOSA1 за ціною від 7845.15 грн до 7845.15 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSM100GB120DN2KHOSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
BSM100GB120DN2KHOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
BSM100GB120DN2KHOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 145 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 700 W Current - Collector Cutoff (Max): 2 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.5 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
||||||
BSM100GB120DN2KHOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |