Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM100GD120DN2
- IGBT MODULE, 1200V, ECONOPACK3
- Transistor Type:IGBT Module
- Voltage Vces:1200V
- Max Current Ic Continuous a:100A
- Max Voltage Vce Sat:3V
- Power Dissipation:680W
- Case Style:Econopack 3
- Termination Type:Solder
- SVHC:Cobalt dichloride
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
- Current Temperature:80`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- No. of Transistors:6
- Power Dissipation Pd:680W
- Pulsed Current Icm:200A
- Typ Voltage Vce Sat:2.5V
Інші пропозиції BSM100GD120DN2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BSM100GD120DN2 | EUPEC |
|
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BSM100GD120DN2 | ![]() |
Виробник: EUPEC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)


