BSM10GP120BOSA1 Infineon Technologies


nods.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 20A 24-Pin EconoPIM2
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSM10GP120BOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 20A 100W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Three Phase Bridge Rectifier, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 10A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 100 W, Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції BSM10GP120BOSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSM10GP120BOSA1 Виробник : Infineon Technologies Description: IGBT MOD 1200V 20A 100W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 10A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 600 pF @ 25 V
товар відсутній
BSM10GP120BOSA1 Виробник : Infineon Technologies IGBT Modules LOW POWER ECONO
товар відсутній