BSM120C12P2C201 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - BSM120C12P2C201 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 134 A, 1.2 kV, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 134A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker
euEccn: NLR
Verlustleistung: 935W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 18470.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM120C12P2C201 ROHM
Description: ROHM - BSM120C12P2C201 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 134 A, 1.2 kV, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 134A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker, euEccn: NLR, Verlustleistung: 935W, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSM120C12P2C201 за ціною від 31721.57 грн до 34010.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSM120C12P2C201 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules CAUTION, Single Customers, Consider NCNR |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
BSM120C12P2C201 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 1200V, 134A, CHOPPER, SILICON-CA Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 935W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 134A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 22mA Supplier Device Package: Module Part Status: Active |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|