BSM120C12P2C201 ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BSM120C12P2C201 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 134 A, 1.2 kV, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 134A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker
Verlustleistung: 935W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM120C12P2C201 ROHM
Description: ROHM - BSM120C12P2C201 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 134 A, 1.2 kV, Modul, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 134A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker, Verlustleistung: 935W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -.
Інші пропозиції BSM120C12P2C201 за ціною від 29838.43 грн до 33270.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSM120C12P2C201 | ROHM Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules CAUTION, Single Customers, Consider NCNR |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||
 |
BSM120C12P2C201 | Rohm Semiconductor |
Description: 1200V, 134A, CHOPPER, SILICON-CA Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 935W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 134A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 22mA Supplier Device Package: Module Part Status: Active |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BSM120C12P2C201 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules CAUTION, Single Customers, Consider NCNR
Discrete Semiconductor Modules CAUTION, Single Customers, Consider NCNR
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 31349.30 грн |
| 5+ | 29838.43 грн |
| BSM120C12P2C201 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 134A, CHOPPER, SILICON-CA
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 935W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 134A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 22mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Description: 1200V, 134A, CHOPPER, SILICON-CA
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 935W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 134A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 22mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 33270.98 грн |