BSM150GB120DN2HOSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 25998.11 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM150GB120DN2HOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 210A 1250W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 150A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 210 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 1250 W, Current - Collector Cutoff (Max): 2.8 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V.
Інші пропозиції BSM150GB120DN2HOSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BSM150GB120DN2HOSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 210A 1250W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 150A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 210 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1250 W Current - Collector Cutoff (Max): 2.8 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| BSM150GB120DN2HOSA1 | Infineon Technologies |
 IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| BSM150GB120DN2HOSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 210A 1250W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 210 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 2.8 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V
Description: IGBT MOD 1200V 210A 1250W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 210 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 2.8 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BSM150GB120DN2HOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM
IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.