BSM150GB170DLCHOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 300A 1250W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 1250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 10 nF @ 25 V
Description: IGBT MOD 1700V 300A 1250W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Power - Max: 1250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 10 nF @ 25 V
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 11803.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM150GB170DLCHOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1700V 300A 1250W, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 150A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 300 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Power - Max: 1250 W, Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 10 nF @ 25 V.
Інші пропозиції BSM150GB170DLCHOSA1 за ціною від 15053.69 грн до 15053.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSM150GB170DLCHOSA1 | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM150GB170DLCHOSA1 - BSM150GB170 INSULATED GATE BIPOLAR TRAN tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| BSM150GB170DLCHOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH |
товару немає в наявності |
||||||
| BSM150GB170DLCHOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1700V 300A 1250W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 150A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 300 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1250 W Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 10 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |