BSM150GB170DN2HOSA1 ROCHESTER ELECTRONICS
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM150GB170DN2HOSA1 - BSM150GB170 INSULATED GATE BIPOLAR TRAN
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 11207.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM150GB170DN2HOSA1 ROCHESTER ELECTRONICS
Description: IGBT MOD 1700V 220A 1250W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 150A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 220 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Power - Max: 1250 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1.5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 20 nF @ 25 V.
Інші пропозиції BSM150GB170DN2HOSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BSM150GB170DN2HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
220 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
товару немає в наявності |
||
| BSM150GB170DN2HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1700V 220A 1250W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 150A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 220 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1250 W Current - Collector Cutoff (Max): 1.5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 20 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |