BSM15GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies


nods.pdf Виробник: Infineon Technologies
High Reliability IGBT Modules IC
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSM15GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 25A 145W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Current - Collector (Ic) (Max): 25 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 145 W, Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 100 pF @ 25 V.

Інші пропозиції BSM15GD120DN2BOSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSM15GD120DN2BOSA1 Виробник : Infineon Technologies Description: IGBT MOD 1200V 25A 145W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 145 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM15GD120DN2BOSA1 Виробник : Infineon Technologies IGBT Modules LOW POWER ECONO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.