BSM15GD120DN2E3224BOSA1 Infineon Technologies
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM15GD120DN2E3224BOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 25A 145W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Full Bridge, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Current - Collector (Ic) (Max): 25 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 145 W, Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1 nF @ 25 V.
Інші пропозиції BSM15GD120DN2E3224BOSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BSM15GD120DN2E3224BOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 25A 145W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 145 W Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |