BSM180C12P2E202 ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BSM180C12P2E202 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 204 A, 1.2 kV, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 204A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker
Verlustleistung: 1.36kW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM180C12P2E202 ROHM
Description: ROHM - BSM180C12P2E202 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 204 A, 1.2 kV, Modul, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 204A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker, Verlustleistung: 1.36kW, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -.
Інші пропозиції BSM180C12P2E202 за ціною від 43220.86 грн до 46239.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSM180C12P2E202 | ROHM Semiconductor |
MOSFET Modules 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02 |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||
 |
BSM180C12P2E202 | Rohm Semiconductor |
Description: SICFET N-CH 1200V 204A MODULE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +22V, -6V Supplier Device Package: Module Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35.2mA Power Dissipation (Max): 1360W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 204A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: 175°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BSM180C12P2E202 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Modules 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02
MOSFET Modules 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 43220.86 грн |
| BSM180C12P2E202 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -6V
Supplier Device Package: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35.2mA
Power Dissipation (Max): 1360W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 204A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Description: SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -6V
Supplier Device Package: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35.2mA
Power Dissipation (Max): 1360W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 204A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 46239.98 грн |