BSM180C12P3C202 ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BSM180C12P3C202 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 180 A, 1.2 kV, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker
Verlustleistung: 880W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM180C12P3C202 ROHM
Description: ROHM - BSM180C12P3C202 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 180 A, 1.2 kV, Modul, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker, Verlustleistung: 880W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -.
Інші пропозиції BSM180C12P3C202 за ціною від 38406.91 грн до 41441.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSM180C12P3C202 | ROHM Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules CAUTION, Single Customers, Consider NCNR |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
| BSM180C12P3C202 | Rohm Semiconductor |
Description: SICFET N-CH 1200V 180A MODULE Vgs (Max): +22V, -4V Supplier Device Package: Module Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 50mA Power Dissipation (Max): 880W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BSM180C12P3C202 |
Виробник: ROHM Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules CAUTION, Single Customers, Consider NCNR
Discrete Semiconductor Modules CAUTION, Single Customers, Consider NCNR
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| BSM180C12P3C202 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 180A MODULE
Vgs (Max): +22V, -4V
Supplier Device Package: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 50mA
Power Dissipation (Max): 880W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Description: SICFET N-CH 1200V 180A MODULE
Vgs (Max): +22V, -4V
Supplier Device Package: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 50mA
Power Dissipation (Max): 880W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 41441.85 грн |
| 10+ | 38406.91 грн |