BSM180C12P3C202 ROHM Semiconductor
Виробник: ROHM Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules CAUTION, Single Customers, Consider NCNR
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 45769.78 грн |
| 5+ | 43562.56 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM180C12P3C202 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - BSM180C12P3C202 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 180 A, 1.2 kV, Modul, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker, Verlustleistung: 880W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -.
Інші пропозиції BSM180C12P3C202 за ціною від 37794.68 грн до 40781.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSM180C12P3C202 | ROHM |
 Description: ROHM - BSM180C12P3C202 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 180 A, 1.2 kV, ModultariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker Verlustleistung: 880W SVHC: Lead (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: - Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: - |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
| BSM180C12P3C202 | Rohm Semiconductor |
Description: SICFET N-CH 1200V 180A MODULE Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Power Dissipation (Max): 880W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 50mA Supplier Device Package: Module Vgs (Max): +22V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 10 V |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BSM180C12P3C202 |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BSM180C12P3C202 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 180 A, 1.2 kV, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker
Verlustleistung: 880W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
Description: ROHM - BSM180C12P3C202 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 180 A, 1.2 kV, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker
Verlustleistung: 880W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| BSM180C12P3C202 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 180A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Power Dissipation (Max): 880W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 50mA
Supplier Device Package: Module
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 10 V
Description: SICFET N-CH 1200V 180A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Power Dissipation (Max): 880W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 50mA
Supplier Device Package: Module
Vgs (Max): +22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 10 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 40781.24 грн |
| 10+ | 37794.68 грн |