BSM180D12P2C101 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
Part Status: Active
Supplier Device Package: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35.2mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 204A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Power - Max: 1130W
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM180D12P2C101 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE, Part Status: Active, Supplier Device Package: Module, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35.2mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 204A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Power - Max: 1130W, Technology: Silicon Carbide (SiC), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Package / Case: Module, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції BSM180D12P2C101
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BSM180D12P2C101 | ROHM Semiconductor |
MOSFET Modules Mod: 1200V 180A (no Diode) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BSM180D12P2C101 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Modules Mod: 1200V 180A (no Diode)
MOSFET Modules Mod: 1200V 180A (no Diode)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)