Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > BSM180D12P2E002
BSM180D12P2E002

BSM180D12P2E002 Rohm Semiconductor


Виробник: Rohm Semiconductor
Description: 1200V, 204A, HALF BRIDGE, SILICO
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1360W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 204A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000pF @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35.2mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+54388.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSM180D12P2E002 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - BSM180D12P2E002 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 204 A, 1.2 kV, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 204A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.36kW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: -Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSM180D12P2E002 за ціною від 57027.08 грн до 57027.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSM180D12P2E002 BSM180D12P2E002 ROHM Semiconductor MOSFET Modules CAUTION, Single Customers, Consider NCNR
на замовлення 2 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+57027.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM180D12P2E002 BSM180D12P2E002 ROHM Description: ROHM - BSM180D12P2E002 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 204 A, 1.2 kV, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 204A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.36kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM180D12P2E002
BSM180D12P2E002
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Modules CAUTION, Single Customers, Consider NCNR
на замовлення 2 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+57027.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM180D12P2E002
BSM180D12P2E002
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BSM180D12P2E002 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 204 A, 1.2 kV, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 204A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.36kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.