BSM180D12P2E002 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - BSM180D12P2E002 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 204 A, 1.2 kV, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 204A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.36kW
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: -Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 42099.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM180D12P2E002 ROHM
Description: ROHM - BSM180D12P2E002 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 204 A, 1.2 kV, Module, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 204A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.36kW, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: -Pin(s), productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm.
Інші пропозиції BSM180D12P2E002 за ціною від 50922.9 грн до 50963.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSM180D12P2E002 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: 1200V, 204A, HALF BRIDGE, SILICO Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 1360W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 204A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000pF @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35.2mA Supplier Device Package: Module Part Status: Active |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
BSM180D12P2E002 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules CAUTION, Single Customers, Consider NCNR |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|