Продукція > ROHM > BSM180D12P2E002
BSM180D12P2E002

BSM180D12P2E002 ROHM

Виробник: ROHM
Description: ROHM - BSM180D12P2E002 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 204 A, 1.2 kV, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 204A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.36kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+36450.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSM180D12P2E002 ROHM

Description: ROHM - BSM180D12P2E002 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 204 A, 1.2 kV, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 204A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.36kW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: -Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSM180D12P2E002 за ціною від 56114.93 грн до 57366.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSM180D12P2E002 BSM180D12P2E002 Виробник : Rohm Semiconductor Description: 1200V, 204A, HALF BRIDGE, SILICO
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1360W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 204A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18000pF @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35.2mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+56114.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM180D12P2E002 BSM180D12P2E002 Виробник : ROHM Semiconductor MOSFET Modules CAUTION, Single Customers, Consider NCNR
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+57366.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.