BSM180D12P3C007 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SIC 2N-CH 1200V 180A MODULE
Part Status: Active
Supplier Device Package: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 50mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Power - Max: 880W
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM180D12P3C007 Rohm Semiconductor
Description: SIC 2N-CH 1200V 180A MODULE, Part Status: Active, Supplier Device Package: Module, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 50mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Power - Max: 880W, Technology: Silicon Carbide (SiC), Operating Temperature: 175°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: Module, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції BSM180D12P3C007 за ціною від 45748.31 грн до 45748.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSM180D12P3C007 | ROHM Semiconductor |
MOSFET Modules Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| BSM180D12P3C007 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Modules Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD
MOSFET Modules Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 45748.31 грн |