BSM180D12P3C007 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: SIC POWER MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 880W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 50mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 43714.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM180D12P3C007 Rohm Semiconductor
Description: SIC POWER MODULE, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 880W, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 50mA, Supplier Device Package: Module, Part Status: Active.
Інші пропозиції BSM180D12P3C007 за ціною від 45527.86 грн до 47834.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSM180D12P3C007 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|