BSM200GA120DN2HOSA1 Infineon Technologies


200ga120dn2.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 300A 1550000mW
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSM200GA120DN2HOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 300A 1550W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single Switch, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Current - Collector (Ic) (Max): 300 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 1550 W, Current - Collector Cutoff (Max): 4 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V.

Інші пропозиції BSM200GA120DN2HOSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSM200GA120DN2HOSA1 Виробник : Infineon Technologies Description: IGBT MOD 1200V 300A 1550W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1550 W
Current - Collector Cutoff (Max): 4 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
товар відсутній
BSM200GA120DN2HOSA1 Виробник : Infineon Technologies IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM
товар відсутній