Продукція > ROCHESTER ELECTRONICS > BSM200GA120DN2S7HOSA1

BSM200GA120DN2S7HOSA1 ROCHESTER ELECTRONICS


Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSM200GA120DN2S7HOSA1 - BSM200GA120DN2 - IGBT POWER MODULE 62MM
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+4666.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSM200GA120DN2S7HOSA1 ROCHESTER ELECTRONICS

Description: IGBT MOD, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single Switch, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Current - Collector (Ic) (Max): 300 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 1.55 W, Current - Collector Cutoff (Max): 4 mA.

Інші пропозиції BSM200GA120DN2S7HOSA1 за ціною від 5854.45 грн до 5974.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BSM200GA120DN2S7HOSA1 Виробник : Infineon Technologies BSM200GA120DN2S7HOSA1
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+5974.42 грн
25+5854.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BSM200GA120DN2S7HOSA1 Виробник : Infineon Technologies Description: IGBT MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1.55 W
Current - Collector Cutoff (Max): 4 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.