BSM200GB120DLCE3256HOSA1 Infineon
Виробник: Infineon
IGBT Module Half Bridge 1200 V 420 A 1550 W Chassis Mount Module Група товару: Силові IGBT-модулі Од. вим: шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM200GB120DLCE3256HOSA1 Infineon
Description: BSM200GB120DLC - IGBT, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Current - Collector (Ic) (Max): 420 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 1550 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V.
Інші пропозиції BSM200GB120DLCE3256HOSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BSM200GB120DLCE3256HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: BSM200GB120DLC - IGBT Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 420 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1550 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
||
| BSM200GB120DLCE3256HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 420 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1550 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |