BSM200GB60DLC
Виробник:
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM200GB60DLC
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: transistor/transistor, Topology: IGBT half-bridge, Max. off-state voltage: 0.6kV, Collector current: 200A, Case: AG-34MM-1, Electrical mounting: screw, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 400A, Mechanical mounting: screw, Power dissipation: 730W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BSM200GB60DLC
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
BSM200GB60DLC | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 600V 230A 730000mW Automotive 7-Pin 34MM-1 Tray |
товару немає в наявності |
|
 |
BSM200GB60DLC | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 0.6kV Collector current: 200A Case: AG-34MM-1 Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 400A Mechanical mounting: screw Power dissipation: 730W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
BSM200GB60DLC | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules 600V 200A DUAL |
товару немає в наявності |
|
|
|
BSM200GB60DLC | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 0.6kV Collector current: 200A Case: AG-34MM-1 Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 400A Mechanical mounting: screw Power dissipation: 730W |
товару немає в наявності |