BSM200GB60DLC
Виробник:
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM200GB60DLC
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A, Type of module: IGBT, Topology: IGBT half-bridge, Case: AG-34MM-1, Max. off-state voltage: 0.6kV, Semiconductor structure: transistor/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 200A, Pulsed collector current: 400A, Power dissipation: 730W, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції BSM200GB60DLC
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
BSM200GB60DLC Код товару: 37779 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||
 |
BSM200GB60DLC | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Type of module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Case: AG-34MM-1 Max. off-state voltage: 0.6kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Power dissipation: 730W Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
BSM200GB60DLC | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules 600V 200A DUAL |
товар відсутній |
|
|
|
BSM200GB60DLC | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Type of module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Case: AG-34MM-1 Max. off-state voltage: 0.6kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Power dissipation: 730W Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |