BSM20GD60DLC Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.1 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Power - Max: 125 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 32 A
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 20A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: Full Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2112.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM20GD60DLC Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.1 nF @ 25 V, Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA, Power - Max: 125 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector (Ic) (Max): 32 A, NTC Thermistor: No, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 20A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Configuration: Full Bridge, Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції BSM20GD60DLC
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BSM20GD60DLC | Виробник : SIEMENS |
07+; |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |