BSM250D17P2E004 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 1700V 250A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1800W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V (1.7kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30000pF @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 66mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 76608.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM250D17P2E004 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BSM250D17P2E004 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 250 A, 1.7 kV, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8kW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSM250D17P2E004 за ціною від 76403.34 грн до 128048.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSM250D17P2E004 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Modules 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
BSM250D17P2E004 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - BSM250D17P2E004 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 250 A, 1.7 kV, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8kW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: - Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: - SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
BSM250D17P2E004 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 250A 11-Pin |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
BSM250D17P2E004 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 250A 11-Pin |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|