Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > BSM250D17P2E004
BSM250D17P2E004

BSM250D17P2E004 Rohm Semiconductor

datasheet?p=BSM250D17P2E004&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 1700V 250A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1800W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V (1.7kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30000pF @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 66mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+65369.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSM250D17P2E004 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - BSM250D17P2E004 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 250 A, 1.7 kV, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8kW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSM250D17P2E004 за ціною від 97431.74 грн до 146319.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BSM250D17P2E004 BSM250D17P2E004 Rohm Semiconductor bsm250d17p2e004-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 250A 11-Pin
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+97431.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM250D17P2E004 BSM250D17P2E004 Rohm Semiconductor bsm250d17p2e004-e.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 250A 11-Pin
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+146319.22 грн
2+142661.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM250D17P2E004 BSM250D17P2E004 ROHM Semiconductor datasheet?p=BSM250D17P2E004&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET Modules 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM250D17P2E004 BSM250D17P2E004 ROHM bsm250d17p2e004-e.pdf Description: ROHM - BSM250D17P2E004 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 250 A, 1.7 kV, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM250D17P2E004 bsm250d17p2e004-e.pdf
BSM250D17P2E004
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 250A 11-Pin
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+97431.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM250D17P2E004 bsm250d17p2e004-e.pdf
BSM250D17P2E004
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 250A 11-Pin
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+146319.22 грн
2+142661.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSM250D17P2E004 datasheet?p=BSM250D17P2E004&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
BSM250D17P2E004
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Modules 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSM250D17P2E004 bsm250d17p2e004-e.pdf
BSM250D17P2E004
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BSM250D17P2E004 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 250 A, 1.7 kV, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.