Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM25GD120DN2
- IGBT MODULE, 1200V, ECONOPACK3
- Module Configuration:Three Phase Inverter
- DC Collector Current:35A
- Max Voltage Vce Sat:3V
- Max Power Dissipation:200W
- Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:1200V
- Operating Temperature Range:-40`C to +125`C
- SVHC:Cobalt dichloride
- Case Style:Econopack 2
- No. of Transistors:6
- Termination Type:Solder
- Transistor Type:IGBT Module
- Current Temperature:80`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Current Ic Continuous a:25A
- Power Dissipation:200W
- Power Dissipation Pd:200W
- Pulsed Current Icm:50A
- Typ Voltage Vce Sat:2.5V
- Voltage Vces:1200V
Інші пропозиції BSM25GD120DN2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BSM25GD120DN2 | Виробник : EUPEC |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| BSM25GD120DN2 | Виробник : Infineon | Група товару: Силові IGBT-модулі Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||
 |
BSM25GD120DN2 | Виробник : Infineon Technologies |
 IGBT Modules 1200V 25A FL BRIDGE |
товару немає в наявності |