BSM25GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies



Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 35A 200W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 200 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V
товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSM25GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 35A 200W MOD, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Full Bridge, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 35 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 200 W, Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V.

Інші пропозиції BSM25GD120DN2BOSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BSM25GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies infineon_eupcs02659-1-1735698.pdf IGBT Modules LOW POWER ECONO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSM25GD120DN2BOSA1 infineon_eupcs02659-1-1735698.pdf
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules LOW POWER ECONO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.