BSM25GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 35A 200W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 200 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM25GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 35A 200W MOD, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Full Bridge, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 35 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 200 W, Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V.
Інші пропозиції BSM25GD120DN2BOSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| BSM25GD120DN2BOSA1 | Infineon Technologies |
IGBT Modules LOW POWER ECONO |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| BSM25GD120DN2BOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules LOW POWER ECONO
IGBT Modules LOW POWER ECONO
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.


