BSM25GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSM25GD120DN2BOSA1 - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 35 A, 3 V, 200 W, 125 °C, EconoPACK, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: -, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3V, Dauer-Kollektorstrom: 35A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3V, Verlustleistung Pd: 200W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: EconoPACK, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Anzahl der Pins: 17Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 35A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).