Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSM25GD120DN2E3224BPSA1

BSM25GD120DN2E3224BPSA1 Infineon Technologies


Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules LOW POWER ECONO
на замовлення 75 шт:

термін постачання 163-172 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+10704.17 грн
10+ 9766.61 грн
30+ 8182.93 грн
60+ 7980.64 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSM25GD120DN2E3224BPSA1 Infineon Technologies

Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO2A-211, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Full Bridge, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: AG-ECONO2B, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 35 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 200 W, Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V.

Інші пропозиції BSM25GD120DN2E3224BPSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSM25GD120DN2E3224BPSA1 Виробник : Infineon Technologies SP005422358
товар відсутній
BSM25GD120DN2E3224BPSA1 Виробник : Infineon Technologies Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO2A-211
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-ECONO2B
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 200 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V
товар відсутній