BSM300C12P3E201 ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BSM300C12P3E201 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 300 A, 1.2 kV, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker
Verlustleistung: 1.36kW
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM300C12P3E201 ROHM
Description: ROHM - BSM300C12P3E201 - Siliziumkarbid-MOSFET, Zerhacker, n-Kanal, 300 A, 1.2 kV, Modul, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Zerhacker, Verlustleistung: 1.36kW, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -.
Інші пропозиції BSM300C12P3E201 за ціною від 55032.41 грн до 55032.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSM300C12P3E201 | Rohm Semiconductor |
Description: SICFET N-CH 1200V 300A MODULE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): +22V, -4V Part Status: Active Supplier Device Package: Module Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 80mA Power Dissipation (Max): 1360W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk FET Type: N-Channel |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
 |
BSM300C12P3E201 | ROHM Semiconductor |
MOSFET Modules 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| BSM300C12P3E201 |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: SICFET N-CH 1200V 300A MODULE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 80mA
Power Dissipation (Max): 1360W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
FET Type: N-Channel
Description: SICFET N-CH 1200V 300A MODULE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 80mA
Power Dissipation (Max): 1360W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
FET Type: N-Channel
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 55032.41 грн |
| BSM300C12P3E201 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Modules 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
MOSFET Modules 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)