BSM300D12P2E001 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE
Part Status: Active
Supplier Device Package: Module
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 68mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35000pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Power - Max: 1875W
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM300D12P2E001 Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE, Part Status: Active, Supplier Device Package: Module, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 68mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35000pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Power - Max: 1875W, Technology: Silicon Carbide (SiC), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Tray.
Інші пропозиції BSM300D12P2E001 за ціною від 51177.39 грн до 51177.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSM300D12P2E001 | ROHM Semiconductor |
MOSFET Modules 300A SiC Power Module |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| BSM300D12P2E001 |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Modules 300A SiC Power Module
MOSFET Modules 300A SiC Power Module
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 51177.39 грн |