BSM300D12P3E005 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1260W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 91mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 109530.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM300D12P3E005 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - BSM300D12P3E005 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 300 A, 1.2 kV, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.26kW, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSM300D12P3E005 за ціною від 114544.00 грн до 119153.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSM300D12P3E005 | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Modules SIC Pwr Module Half Bridge |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||
 |
BSM300D12P3E005 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - BSM300D12P3E005 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 300 A, 1.2 kV, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 1.26kW Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: - Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: - SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|