BSM300D12P3E005 ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - BSM300D12P3E005 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 300 A, 1.2 kV, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.26kW
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 70336.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSM300D12P3E005 ROHM
Description: ROHM - BSM300D12P3E005 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 300 A, 1.2 kV, Module, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.26kW, Bauform - Transistor: Module, Anzahl der Pins: -, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: -, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції BSM300D12P3E005 за ціною від 110849.21 грн до 118850.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSM300D12P3E005 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SIC Pwr Module Half Bridge |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
BSM300D12P3E005 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: SILICON CARBIDE POWER MODULE. B Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 1260W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000pF @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 91mA Supplier Device Package: Module Part Status: Active |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|